【技术实现步骤摘要】
隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构本申请是申请日为2009年2月25日且专利技术名称为“隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构”的中国专利申请200980115026. 8的分案申请。相关申请的交叉引用本申请是于2008年2月14日提交的申请No. 12/069, 941的部分继续申请。本申请是于2007年8月8日提交的申请No. 11/890,993的部分继续申请。申请No. 11/890，993是于2006年5月31日提交的申请No. 11/444，102的继续申请，且是下述申请的部分继续申请(a)于2004年8月14日提交的申请No. 10/918，316，其是于2002年8月14日提交的、现在为美国专利No. 6，900，091的申请No. 10/218,668的分案申请；(b)于2005年8月15日提交的申请No. 11/204，215，其是2002年8月14日提交的、现在为美国 专利No. 6，943，426的申请No. 10/218,678的分案申请。上述每个申请和专利通过引用全部结合于此。
技术介绍
在制造半导体集成电路(...
【技术保护点】
一种隔离的二极管，形成在第一导电类型的半导体衬底中，所述衬底不包括外延层，所述隔离的二极管包括：与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区域，埋设在所述衬底中；沟槽，从所述衬底的表面至少延伸到所述底隔离区域，所述沟槽具有由导电材料填充的中心部分以及装衬所述沟槽的壁的电介质材料，所述导电材料提供从所述底隔离区域到所述衬底的表面的电接触，且所述沟槽和所述底隔离区域一起形成所述衬底的隔离袋；以及阳极区域，为第一导电类型，且在所述隔离袋中，所述阳极区域从所述衬底的表面延伸到所述底隔离区域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德R迪斯尼，理查德K威廉斯，
申请(专利权)人：先进模拟科技公司，
类型：发明
国别省市：
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