【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。对于绝缘栅双极晶体管，主要包括平面型IGBT结构和沟槽型IGBT结构。如图I所示，图I中为平面型IGBT的示意图，以N型沟道为例，主要包括衬底100背面的P+集电区108 ;衬底正面的栅介质层102和栅极101 ;衬底中位于集电区108之上的N-漂移区106、漂移区106上的P阱区103、P阱区上的N+源区104 ;覆盖源区的发射极109，通常地，还在与发射极109接触的P阱103表面层中形成有P+区105，以与发射极形成良好的欧姆接触。对于沟槽型IGBT，如图2所示，以N型沟道...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区，以及栅极；其特征在于，还包括：位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱阳军，田晓丽，孙宝刚，卢烁今，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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