半导体芯片和半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体芯片和半导体器件。根据一个实施例，一种半导体芯片包括半导体衬底、过孔和绝缘层。半导体衬底具有第一主表面和在所述第一主表面的相对侧的第二主表面。半导体衬底设置有包括元件和布线的电路部，以及在第一主表面一侧上围绕所述电路部的保护环结构部。在从半导体衬底的第一主表面一侧延伸到第二主表面一侧的通路孔中设置过孔。在从半导体衬底的第一主表面一侧延伸到第二主表面一侧的第一沟槽中设置绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本文描述的实施例总体上涉及ー种半导体芯片和半导体器件。
技术介绍
在近来的诸如多芯片封装(MCP)之类的半导体器件中，有效地将多个半导体芯片的堆叠用于实现更高的密度、更小的尺寸或者更低的外形(profile)。 在这类半导体器件中，穿硅过孔(via)作为ー种用于堆叠半导体芯片的技术已经引起了关注。例如，在半导体是硅(Si)的情况下，穿硅过孔是在半导体衬底的主表面之间穿过的电极，它是半导体芯片的基础元件。在制造这类半导体器件的过程中，为了提高产量并增加厚度方向上的集成密度，需要对半导体芯片进行减薄。例如，为了减小半导体芯片的外形，使用了研磨半导体衬底的背面ー侧的技术。在切割减薄的半导体衬底时，为了抑制碎化和裂痕，使用了诸如激光切割或等离子体蚀刻之类的技木。然而，这类切割不是使用切割刀片的机械处理。因此，形成了相对光滑的切面。这降低了切面的金属吸杂效果，附着到切面的金属会扩散到半导体芯片中。这样会劣化半导体器件的特性和可靠性。附图说明图IA和图IB是根据第一实施例的半导体芯片的芯片边缘区域的示意图，图IA是半导体芯片的示意性截面图，图IB是半导体芯片的背面一侧的示意性平面图；图2是根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，包括：半导体衬底，具有第一主表面和在所述第一主表面的相对侧的第二主表面，所述半导体衬底设置有包括元件和布线的电路部以及在所述第一主表面一侧上围绕所述电路部的保护环结构部；过孔，设置在从所述半导体衬底的所述第一主表面一侧延伸到所述第二主表面一侧的通路孔中；以及绝缘层，设置在从所述半导体衬底的所述第一主表面一侧延伸到所述第二主表面一侧的第一沟槽中，如在垂直于所述半导体衬底的所述第一主表面的方向上所观察的，所述通路孔位于包括所述电路部的电路区域中，所述第一沟槽位于围绕所述电路部且包括所述保护环结构部的外围区域中，并且所述第一沟槽在平行于所述第一主表面的方向上的宽度比所述通路孔在所述平...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：津村一道，东和幸，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：