绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明专利技术所提供的绝缘栅双极晶体管终端，在主结与截止环之间设置有分压沟槽，所述分压沟槽截断主结曲面的结弯曲，消除电场集中，提高击穿电压。同时由于分压沟槽以沟槽的形式存在于漂移区内，因此，这种结构相比场限环结构来说，可大大减小终端保护结构的面积，进而可减小芯片的总面积，降低芯片的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulateGate Bipolar Transistor, IGBT),是新型的大功率器件，它集场效应晶体管(MOSFET)栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点，在 变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。IGBT具有高电压特性的一个重要前提条件是需要具有优良的终端保护结构。现有的终端保护结构包括场板结构、场限环(FLR)结构、场限环结合场板结构、结终端延伸(JTE)结构和横向变掺杂(VLD)结构。目前广泛用于中高压(2500V及其以上)IGBT终端保护结构的主要是场限环(FLR)和结终端延伸(JTE)结构。传统的场限环(FLR)结构如图I所示，由图可知，该IGBT的终端保护结构包括内圈的分压保护区101和外圈的截止保护环102。当偏压加在集电极103上时，随着所加偏压的增大，耗尽层沿着主结104向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱阳军，田晓丽，卢烁今，吴振兴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：