【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及ー种使用超薄高介电常数材料层的碳化硅肖特基ニ极管及其制作方法。
技术介绍
肖特基ニ极管是基于金属和半导体接触的整流特性进行工作的多数载流子器件，具有正向压降低、反向恢复电流小、开关速度快、噪声系数小、功耗低等特点。如今，硅基肖特基ニ极管已经接近理论极限，要实现高效、耐热、耐压和大功率特性，需要新一代宽禁带半导体材料来支撑。 碳化硅(SiC)具有宽禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等优点，是制作高温、高压、高频、高功率、强辐照环境下的半导体器件的理想材料。在同等条件下，碳化硅肖特基ニ极管比硅肖特基ニ极管具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，在军事和民事方面具有广阔的应用前景。传统的碳化硅肖特基ニ极管是金属与η型碳化硅表面直接接触，由于受到η型碳化硅表面态的影响，肖特基接触势垒大大降低，増大了碳化硅肖特基ニ极管的反向漏电流，严重影响了碳化硅ニ极管的反偏特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种减小碳化硅肖特基ニ极管反向电流的方法，以提高碳化硅肖特基ニ极管的性能。为达到本专利技术的上述目的，本专利技术提出了ー...
【技术保护点】
一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括：一个碳化硅衬底；位于所述碳化硅衬底之上的高介电常数材料层；位于所述高介电常数材料层之上的顶电极；位于所述碳化硅衬底底部的底电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙清清，郑珊，房润辰，张卫，王鹏飞，周鹏，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：
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