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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC肖特...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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