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本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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