【技术实现步骤摘要】
本公开涉及石墨烯,更具体地，涉及石墨烯结构和制造石墨烯结构的方法以及石墨烯器件和制造石墨烯器件的方法。
技术介绍
碳纳米管(CNT)自上世纪九十年代起 已经流行，近来正在对石墨烯积极开展研究，石墨烯可用于各种领域，包括纳米电子、光电子和化学传感器。石墨烯是具有数nm的厚度且其中碳原子二维排列的薄膜材料并具有非常高的电导率。除了与硅相比更高电荷迁移率的电特性之外，石墨烯是化学稳定的并具有大的表面积。同时，为了使用石墨烯来形成晶体管的沟道，石墨烯的带隙需要具有半导体特性，因此石墨烯需要具有约数nm的非常小的宽度。然而，如果石墨烯通过使用图案化或蚀刻方法形成为具有小的宽度，则石墨烯可能不易以期望形状形成在大面积上。此外，当诸如晶体管的石墨烯器件通过使用具有小宽度的石墨烯制造时，石墨烯可能不易接合到电极。
技术实现思路
本专利技术提供石墨烯结构和制造该石墨烯结构的方法以及石墨烯器件和制造该石墨烯器件的方法。额外方面将在以下的描述中部分阐述，并将部分地从该描述变得显然，或者可以通过实践给出的实施例而习知。根据本专利技术的一方面，一种石墨烯结构包括基板；生长层，形成在基板上并具...
【技术保护点】
一种石墨烯结构，包括：基板；生长层，形成在所述基板上并具有暴露的侧表面；以及石墨烯层，从所述生长层的侧表面生长。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。