本发明公开了一种用于和半导体管芯（３０６）形成电连接的引线框（３０２，３０４），它包括多个和管芯边缘对应的缺口。从而防止了引线框和管芯边缘附近的电元件之间的短路，即使在引线框在管芯方向上被弯向以形成表面安装封装（３００）。可选地或额外地...

一种新颖的超自对准（ＳＳＡ）结构和制造方法，利用单光掩模层以限定沟栅垂直功率ＤＭＯＳＦＥＴ的主要特征和尺寸。单主要掩模确定了沟表面尺寸、在沟之间的硅源极－本体台面宽度和硅台面接触区的尺寸和位置。该接触区与沟自对准，消除了在常规的沟型ＤＭ...

本发明公开了一种如金属－氧化物－半导体场效应晶体管的槽型半导体器件，通过增大槽底部上栅极氧化层的厚度减小了槽弯角处的强电场。在一制造方法中，在槽蚀刻后定向沉积氧化硅，在槽底部产生厚氧化层。在壁上生长薄栅极氧化层之前，去除槽壁上沉积的任何...