外延基板以及外延基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体元件用外延基板，尤其涉及一种使用III族氮化物而构成的外延基板。
技术介绍
氮化物半导体由于具有直接迁移型的宽带隙(bandgap )、高绝缘击穿电场和高饱和电子速度，因此作为LED或LD等发光器件，或HEMT(HighElectronMobilityTransistor)等高频率/大功率的电子器件用半导体材料而受到关注。例如，将由AlGaN构成的势垒层和由GaN构成的沟道层层叠而成的HEMT (高电子迁移率晶体管)元件是利用以下特征的元件根据氮化物材料特有的强极化效应(自发极化效应和压电极化 效应)在层叠界面(异质界面)生成高浓度二维电子气(2DEG)(例如，参照非专利文献I)。作为在HEMT元件用外延基板中采用的基底基板，有时使用如SiC这样的组分与III族氮化物不同的单晶(异种单晶)。此时，通常应变超晶格层或低温生长缓冲层等缓冲层作为初始生长层在基底基板之上形成。由此，在基底基板上外延形成阻挡层、沟道层、以及缓冲层，成为使用了由异种单晶构成的基底基板的HEMT元件用基板的最基本的构成方式。除此之外，为了促进对二维电子气的空间上的封闭性，有时还在阻挡层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三好实人，角谷茂明，市村干也，前原宗太，田中光浩，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：