为能量转移构建间隔物的自组装纳米点（SAND）和非自组装纳米点（NSAND）器件结构制造技术

提供一种用于在基板之间转移电子电荷、热或光的结构和方法。该结构包括彼此分开的第一基板和第二基板，以及将第一基板和第二基板连接在一起的多个局部间隔物。所述局部间隔物中的至少一个具有小于350nm的横向尺寸。第一基板和第二基板之间的亚微米间距被配置为提供第一基板和第二基板之间的载流子隧穿、热转移或光转移。该方法将电荷载流子、热或光提供至第一基板，该第一基板通过上述的至少一个局部间隔物与第二基板分开，其跨过第一基板和第二基板之间的由所述至少一个局部间隔物形成的亚微米间隙将电荷载流子从第一基板隧穿至第二基板或者将热从第一基板耦合至第二基板或者将光从第一基板耦合至第二基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于从一个基板到另一个基板的电能转移、光能转移和热能转移的基板器件集成的领域。
技术介绍
在过去的十年里，针对各种应用，尤其是在量子电子学或光电子学中，对自组装于 表面上的纳米级微粒、纳米点、或量子点进行了研究。例如，已知，当在Si (100)表面沉积Ge时，Ge纳米点自然地形成在该表面上，从而减少弹性应变的积累并且使能量最小化。这种效果在本领域被称为史传斯基一克拉斯担诺夫(SK)生长模式。已经生长了高度为4nm至15nm并且宽度或直径为20nm至30nm的Ge纳米点。已经在SixGeh氧化物膜上生长了在4nm的尺寸范围内的Ge纳米点。还使用阳极氧化铝薄膜掩膜并且通过利用胶乳纳米球作为掩膜的Ge的沉积，展示了 Si上的Ge纳米点。使用阳极氧化铝薄膜制备了在8nm的高度范围内的Ge纳米点。纳米球光刻法制备了在30nm的尺寸范围内的Ge点。虽然不如自组装方法那样具有吸引力，但是这些方法可以实现比自组装方法更好的对纳米点的空间和尺寸分布的控制。因此，最近出现了用于在Si上形成空间受限的小(高度大约为50nm或更小)的纳米点的技术。也展示了其它材料系统中的纳米点。例如，在Si本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·维恩卡塔苏波拉玛尼安，
申请(专利权)人：研究三角协会，
类型：
国别省市：