【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件的终端设计
，特别涉及克服高压功率器件如IGBT、VDMOS等现有终端技术的不足，提供一种优化的抗界面态影响的终端结构。
技术介绍
终端结构设计要符合预期耐压时，面临的一些耐压退化和可靠性方面的两个问题第一、实际应用的高压半导体器件，其表面覆盖了用于封装的绝缘层或者环氧树月旨。当器件的源漏极接大电压时，电场峰值在体内形成，表面覆盖的绝缘层或者环氧树脂层会产生极化。极化会产生电荷并抑制娃衬底表面的耗尽层延伸，这会造成娃表面的电场峰 值增加，当电场峰值增加到击穿点时，就会导致耐压的变化或退化，也会导致器件在某些环境下失效。第二、界面电荷的存在使器件容易发生表面击穿，这将使得器件的击穿电压进一步降低。在器件的生产工艺流程中，多次的氧化过程，主要是热氧化，使得氧化层中不可避免地存在着一些正电荷。这些正电荷包括沾污引入的Na+等可动正电荷，以及SiO2层中过剩硅离子形成的固定氧化物电荷等。由于这些正电荷的位置非常靠近硅衬底表面，且衬底为N型,这将在娃衬底的近表面处形成一个由氧化层指向娃衬底的垂直电场,这一电场与表面处耗尽层电场的合电场将在PN结...
【技术保护点】
用于半导体功率器件的终端，其特征在于，包含至少两层场板和至少一个场限环；所述每层场板包含至少两块场板，其中，位于主结正上方的各个场板互相连接，并且所述主结与位于该主结正上方的相应场板连接，余下的场板之间通过绝缘材料隔开，同时所述场板位于终端部分的器件衬底外的上方；所述场限环位于终端部分的器件衬底里，在所述场限环的外侧设置有沟道截止环；所述上下相邻各层场板的各块场板上下交错排列，同时所述场板在垂直方向上投影叠加形成的截面的面积与整个终端的横截面积相等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：喻巧群，朱阳军，褚为利，田晓丽，吴振兴，陆江，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，江苏中科君芯科技有限公司，江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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