一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管制造技术

一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P-漂移区及N型体区，且N型外延层的上表面为P-漂移区及N型体区覆盖，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在P-漂移区上方设有P型缓冲层，在P型缓冲层上方设有P型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、多晶硅栅、P-漂移区、P型漏区上方设有场氧化层，在P型源区及N型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，P型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在N型外延层上设有超结结构，超结结构由连接漏区及N型外延层方向相间分布的P型区和N型区构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件
，更具体的说，是关于提高纵向耐压的一种漏端带有纵向超结结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。
技术介绍
功率半导体器件是电力电子系统中进行能量控制和转换的基本元件，电力电子技术的不断发展为功率半导体器件开拓了广泛的应用领域。以具有较快的开关速度、较宽的安全工作区特点的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管为代表的现代电力电子器件和相关产品在计算机、通讯、消费电子、汽车电子为代表的4C产业中发挥着重要作用。如今，功 率器件正向着提高工作电压、增加工作电流、减小导通电阻和集成化的方向发展。超结的专利技术是功率金属氧化物半导体晶体管技术上的一个里程碑。功率器件广泛应用于电力电子领域，许多的应用场合要求其必须能够承受较高的电压。而器件的耐压由横向上的耐压和纵向上的耐压两者共同决定。提高横向耐压通常采用RESURF (减小表面电场)，浮空场限环，VLD (漂移区变掺杂)等技术，目前已能将横向耐压提高到很高的水平(1000V以上)，此时，器件的击穿很多时候发生在纵向结构上，因此，功率器件的纵向耐压成为决定器件耐压的关键因素。传统的提高纵向耐压的方法是增大器件的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底(1)，在P型硅衬底(1)上设有N型外延层(14)，在N型外延层(14)上设有P？漂移区(2)及N型体区(3)，且N型外延层(14)的上表面为P？漂移区(2)及N型体区(3)覆盖，在N型体区(3)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(8)，在P？漂移区(2)上方设有P型缓冲层(13)，在P型缓冲层(13)上方设有P型漏区(12)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、多晶硅栅(9)、P？漂移区(2)、P型漏区(12)上方设有场氧化层(6)，在P型源区(4)及N型体接触区...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祝靖，林吉勇，陈辉，钱钦松，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：