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一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P-漂移区及N型体区，且N型外延层的上表面为P-漂移区及N型体区覆盖，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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