【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子技术，特别涉及高电子迁移率晶体管。
技术介绍
氮化镓与第一代和第二代半导体材料相比具有更优良的电学性能，它是一种宽带隙半导体材料，具有高的击穿电场强度、高饱和速度及高热稳定性等，由于氮化镓材料的优良性能，使得其得到了人们的极大关注和研究，其中研究最为广泛的是AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT )，该器件在高频、高功率、高温等都有应用.AlGaN/GaN闻电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，它是利用具有很闻 迁移率的二维电子气(2-DEG)而工作的。2-DEG存在于AlGaN势垒层和GaN沟道层相接触的异质结表面，其迁移率很高并且在极低的温度下也不冻结，具有很好的温度特性。HEMT是一种电压控制的器件，栅极电压Vg可以控制AlGaN和GaN异质结势阱的深度，进而控制势阱中2-DEG的面密度，从而控制器件的工作电流。2-DEG是由于极化作用产生的，而氮化物具有很强的极化效应。极化效应包括压电极化和自发极化，AlGaN/GaN异质结中的压电极化效应是AlGaAs/GaAs异质结的5倍，在纤锌矿结构III族氮化物中自发极化也比较大，...
【技术保护点】
高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。
【技术特征摘要】
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