高电子迁移率晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明专利技术可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体器件。具体地说是一种高电子迁移率晶 体管HEMT，可用作高温高频高可靠大功率器件。
技术介绍
作为宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速 度高、击穿场强高和导热性能好等特点，可用于制作高温、高频及大功率电子器件。更重要 的是，GaN基材料可以形成调制掺杂的MGaN/GaN异质结构，该结构在室温下可以获得很高 的电子迁移率，极高的峰值电子速度和饱和电子速度，并获得比第二代化合物半导体异质 结构更高的二维电子气2DEG密度。因此，基于AKiaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管 HEMT在大功率微波器件方面具有非常好的应用前景。同时，在雷达、通信、高温和抗辐射等 应用系统和领域具有巨大的需求前景和应用潜力。自1993年第一只AlGaN/GaN HEMT器件问世以来，AlGaN/GaN HEMT器件就得到了 极大的重视和广泛的研究，并且成果丰富。但随着对高电子迁移率晶体管研究的深入，发 现了其中的电流崩塌现象，这种现象被定义为在一定条件下漏电流ID比预想值下降的现象。自从电流崩塌现象被发现以来，人们就对它进行了深入的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底（１）、成核层（２）、主沟道层（３）、势垒层（４）、介质层（１３）；势垒层（４）顶端两侧分别为源极（１０）和漏极（１２），中间为栅极（１１），其特征在于：势垒层（４）上依次增加有辅沟道层（５）、缓变势垒层（６）、高势垒层（７）、隔离沟道层（８）和隔离势垒层（９）；栅极（１１）位于势垒层（４）与隔离势垒层（９）之间的凹槽（１４）中，栅极的两侧及底部设有介质层（１３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张进成，付小凡，郝跃，马晓华，王冲，陈珂，马俊彩，刘子扬，林志宇，张凯，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87