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本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有高电子迁移率晶体管栅漏电流较大的问题，提供了一种高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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