【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，具体涉及ー种增强型开关器件及其制造方法。
技术介绍
第三代半导体材料氮化镓具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，在电子器件方面，氮化镓材料比硅和神化镓更适合于制作高温、高频、高压和大功率的半导体器件。由于AlGaN/GaN异质结构中存在较强的ニ维电子气，通常AlGaN/GaNHEMT是耗尽型器件，使得增强型器件不易实现。而在许多地方耗尽型器件的应用又具有一定的局限性，比如在功率开关器件的应用中，需要增强型(常关型)开关器件。增强型氮化镓开关器件主 要用于高频器件、功率开关器件和数字电路等，它的研究具有十分重要的意义。实现增强型氮化镓开关器件，需要找到合适的方法来降低零栅压时栅极下方的沟道载流子浓度。參图I所示，ー种方法是在栅极I处采用刻蚀结构，局部减薄栅极下面的铝镓氮层2的厚度，达到控制或降低栅极I下ニ维电子气浓度的目的。參图2所示，另外ー种办法是在栅极3下面选择性保留P型(Al)GaN 4，通过p型(Al)GaN 4来提拉铝镓氮5/氮化镓6异质结处的费米能级，形成耗尽区，从而实现增强型器件。參图3所示，...
【技术保护点】
一种增强型开关器件，其特征在于，包括：衬底；氮化物沟道层，所述氮化物沟道层呈台阶状，具有位于不同高度上的第一平面和第二平面，所述第一平面和第二平面之间连接有衔接面；形成于所述氮化物沟道层上的氮化物势垒层，所述氮化物势垒层上定义有栅极区域，及分别位于所述栅极区域两侧的两处欧姆接触区域，所述栅极区域位于所述衔接面的上方；位于所述栅极区域内的栅极，所述栅极下方的二维电子气是中断的；分别形成于所述两处欧姆接触区域的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别位于所述第一平面和第二平面的上方，且位于不同高度上。
【技术特征摘要】
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