常关型氮化镓基半导体器件制造技术

一种方法包括在半导体器件（100,500）中形成（604）弛豫层（106,506）。该方法还包括在弛豫层上形成（606）张力层（108，510），其中张力层具有张应力。该方法进一步包括在弛豫层上形成（606）压缩层（110,508），其中压缩层具有压应力。压缩层的压电极化强度近似等于或大于弛豫层、张力层和压缩层中的自发极化强度。压缩层中的压电极化强度与压缩层中的自发极化强度方向相反。弛豫层可以包括氮化镓，张力层可以包括氮化铝镓，并且压缩层可以包括氮化铝铟镓。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体涉及半导体器件。更特别地，本公开涉及常关型氮化镓基半导体器件。
技术介绍
人们正在研究用于高功率电子应用的各种III-V族化合物。这些化合物包括III-V族氮化物，如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铝铟镓(AlInGaN)。这些化合物可以用来形成用于高功率高电压应用的高电子迁移率晶体管(HEMT)。许多常规的GaN基晶体管器件工作在常开状态或耗尽模式。这通常要求使用负偏压以便关闭晶体管器件。使用负偏压通常是不期望的。虽然已经提出了一些常关型GaN基晶体管器件，但这些器件也有各种缺点
技术实现思路
附图说明为了更彻底理解本公开及其特征，现在结合附图参考下面描述，其中图I示出根据本公开的第一示例常关型氮化镓基半导体器件；图2示出根据本公开的在图I的半导体器件中的示例极化；图3示出根据本公开的与图I的半导体器件关联的示例能带图；图4A和4B示出根据本公开的图I的半导体器件的电学特性和组成之间的示例关系;图5示出根据本公开的第二示例常关型氮化镓基半导体器件；以及图6示出根据本公开的形成常关型氮化镓基半导体器件的示例方法。具体实施例方式下面讨论的图I到图6以及本专利文件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·拉达尼，
申请(专利权)人：美国国家半导体公司，
类型：发明
国别省市：