半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置（100）具备：基板（1）；设置于基板上的栅极电极（11）；形成于栅极电极上的栅极绝缘层（12）；氧化物半导体层（13），其形成在栅极绝缘层上，具有沟道区域（13c）和分别位于沟道区域的两侧的源极区域（13s）和漏极区域（13d）；与源极区域电连接的源极电极（14）；与漏极区域电连接的漏极电极（15）；和金属化合物层（16），其位于源极电极与漏极电极之间，与氧化物半导体层接触地设置于氧化物半导体层上。金属化合物层是由与源极电极和漏极电极所包含的金属元素中的至少一种相同的金属元素的化合物形成的绝缘体层或半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具备氧化物半导体TFT的半导体装置。此外，本专利技术也涉及该半导体装置的制造方法。
技术介绍
液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板，按每像素具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor ;以下，“TFT”)等的开关元件。作为这种开关元件，现在广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT (以下，称作“非晶硅TFT”)和以多晶硅膜为活性层的TFT (以下，称作“多晶硅 TFT”)。多晶硅膜中的电子和正孔的迁移率比非晶硅膜的迁移率高，因此，对于多晶硅TFT 来说，其导通电流比非晶硅TFT的导通电流高，能够高速动作。因此，当使用多晶硅TFT形成有源矩阵基板时，不仅作为开关元件，而且在驱动器等的周边电路也能够使用多晶硅TFT。因此，能够获得在同一基板上一体形成驱动器等的周边电路的一部分或整体和显示部的优点。而且，能够获得以更短的开关时间对液晶显示装置等的像素电容进行充电的优点。但是，当期望制作多晶硅TFT时，除了需要进行用于使非晶硅膜结晶化的利用激光或热的结晶化工序之外，还需要进行热退火工序等的复杂的工序，存在基板的单位面积的制造成本变高的问题。由此，多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：深谷哲生，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：