一种基板、显示装置及该基板的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种COA基板，包括TFT、彩色层和像素电极，所述TFT的漏极上方设置有贯穿所述彩色层的过孔，所述过孔中设置有导电填充层，所述像素电极通过所述导电填充层与所述TFT的漏极连接。本发明专利技术通过在COA基板的过孔中形成导电填充层，有效地解决了由于过孔深度过深或过孔内表面不平整导致的导电层断线问题，提高了良率。本发明专利技术还提供了一种显示装置和COA基板的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及。
技术介绍
COA (Color Filter on Array)技术是将彩色层制备在阵列基板上的技术,COA基板的基本结构如图I所示，在衬底基板I上依次形成薄膜晶体管TF T、彩色层4和像素电极5，TFT的漏极2与彩色层4之间具有保护层3，且漏极2上方设置有贯穿彩色层4的过孔，像素电极5与漏极2之间过孔连接。因为COA结构的显示面板不存在彩膜基板与阵列基板的对位问题，所以可以降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，因此黑色矩阵可以设计为窄线宽，提高了开口率。当COA技术的实现方式采用在基板I上依次形成漏极2-保护层3-彩色层4_像素电极5的制作顺序时，需要在漏极2上方形成贯穿彩色层4和保护层5的过孔，如图I中虚线内所示结构；具体形成方法如如图2所示如图2中所示，首先在制备彩色层4时留下第一开孔A，利用彩色层4作为掩膜，对第一开孔A位置露出的保护层3进行干刻，形成过孔，这样制作可以减少一次构图工艺(一般包括涂胶-曝光-显影-刻蚀-剥离等工艺)；但是，保护层3在干刻工艺中会产生过刻，即保护层3在对彩色层4的第一开孔A下边缘露出部分的部分进行刻蚀后，还会横向刻蚀一部分，导致保护层3生成的第二开孔B的边缘尺寸大于彩色层4的第一开孔A下边缘的尺寸，如图2中d所示，因此造成由形成的整个过孔的表面不平整，在形成像素电极5时会导致断线不良，如图2中e所示。同时，由于该过孔贯穿彩色层4和保护层3 (彩色层4和保护层3的厚度之和约在几微米)，导致过孔的深度较深，在形成像素电极5时也容易产生断线不良。
技术实现思路
本专利技术提供了一种基板，该基板过孔中设有用于填充过孔的导电填充层，可改善由于过孔的深度过深或过孔内表面不平整造成的导电层的断线不良；另外，本专利技术还提供了一种显示装置和一种上述基板的制备方法。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案一种COA基板，包括薄膜晶体管TFT、彩色层和像素电极，所述TFT的漏极上方设置有贯穿所述彩色层的过孔，所述过孔中设置有导电填充层，所述像素电极通过所述导电填充层与所述TFT的漏极连接。优选地，该基板还包括设置于TFT和彩色层之间的保护层，所述过孔延伸并贯穿所述保护层。优选地，所述导电填充层的厚度大于或等于所述保护层的厚度且小于或等于所述过孔的深度。优选地，所述导电填充层的厚度为O. 8 μ πΓ2. 8 μ m。优选地，所述导电填充层的厚度为1.0μπΓ2. 4μπ 。 优选地，所述导电填充层为光刻银胶。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的基板。本专利技术还提供一种上述的COA基板的制备方法，包括以下步骤在衬底基板上形成薄膜晶体管TFT和彩色层，并在形成露出TFT的漏极的至少一个过孔；向每一个过孔内注入导电填充材料；对所述导电填充材料进行固化处理，形成导电填充层。 在彩色层以及各个过孔中的导电层之上溅射像素电极层，并形成相应图形的像素电极，像素电极与源极之间通过导电填充层实现电连接。优选地，步骤向每一个过孔内注入导电填充材料中，具体采用喷墨印刷的方式将所述导电填充材料注入所述过孔中。优选地，所述导电填充材料为光刻银胶。优选地，步骤对所述导电填充材料进行固化处理，形成导电填充层中具体包括在50°C 120°C下对所述导电填充材料烘烤2 15min，对整片COA基板进行无掩膜曝光，曝光强度为150mJ/CnT330mJ/Cm3 ;对所述导电填充材料进行显影去除多余部分，得到一定厚度的导电填充材料；在100°C 250°C下烘烤2(T40min，得到导电填充层。本专利技术通过在COA基板的过孔中形成导电填充层，有效地解决了由于过孔深度过深或过孔内表面不平整导致的导电层断线问题，提高了良率。附图说明图I为现有技术中COA基板基本结构不意图；图2为现有技术中COA基板形成过孔和像素电极的原理示意图；图3为本专利技术提供的COA基板的结构示意图；图4为本专利技术提供的COA基板过孔区域放大后的示意图；图5为本专利技术提供的COA基板的原理不意图；图6为本专利技术提供的COA基板制备方法的流程图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供的COA基板，如图3所示，包括薄膜晶体管TFT、彩色层04和像素电极05，TFT的漏极02上方设置有贯穿彩色层04的过孔，所述过孔中设置有导电填充层06，像素电极04通过导电填充层06与TFT的漏极02连接。过孔区域的放大示意图如图4所示，包括漏极02，彩色层04，像素电极05，导电填充层06，像素电极05通过导电填充层06与漏极02连接。首先，上述COA基板中，导电填充层06可以将过孔填充一定厚度，从而起到平坦过孔的作用，同时，导电填充层06与漏极02电连接；溅射像素电极05时，像素电极05通过导电填充层06与漏极02电连接，从而改善由于过孔内表面不平整而导致的像素电极断线的问题。当然，本实施例提供的COA基板可以不包括保护层，直接在TFT上制备彩色层，由于目前采用的彩色层为绝缘性的树脂材料，因此也可以起到保护层的作用。但作为优选方案，本实施例提供的COA基板还包括TFT和彩色层04之间的保护层03，所述过孔延伸并贯穿保护层03。以下实施例均以设置保护层03为例进行说明。在存在保护层03的条件下，优选地，导电填充层06的厚度优选大于或等于保护层03的厚度且小于或等于过孔的深度。将导电填充层06的厚度设置在上述厚度范围之内，可以保证在解决了由于过孔内表面不平整而导致的像素电极05断线的问题，同时又不会因为导电填充层06过厚而出现新的问题(如段差问题)。COA基板上过孔的深度一般在3 μ πΓ4 μ m，保护层的厚度一般在O. 5 μ m左右，本发 明的实施例提供的COA基板中导电填充层06的厚度优选O. 8 μ πΓ2. 8 μ m，具体的，导电填充层 06 的厚度可以为0·8μηι、1·0μηι、1· I μ m> I. 3 μ m> I. 5 μ m> I. 6 μ m> I. 8 μ m>2. O μ m>2. 1μπι、2. 4μπι、2. 6μπι、2. 8μπι等。导电填充层06的厚度还可以为其他值，具体厚度值可以根据实际生产中保护层03和彩色层04的厚度值以及产品需求而定，这里不再一一举例。更为优选地，导电填充层06的厚度取值范围为1.0μπΓ2. 4μπι，具体的，导电填充层 06 的厚度可以为1.0ym、L I μ m> I. 3 μ m> I. 5 μ m> I. 6 μ m> I. 8 μ m>2. O μ m>2. I μ m>2. 3 μ m、2. 4 μ m等，导电填充层06的厚度还可以为其他值，具体厚度值也可以根据实际生产中保护层和彩色层的厚度值以及产品需求而定，这里不再一一举例。导电填充层06的材料可以采用导电树脂材料或其他导电材料制备，优选采用光刻银胶制备，光刻银胶是液晶领本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种COA基板，其特征在于，包括薄膜晶体管TFT、彩色层和像素电极，所述TFT的漏极上方设置有贯穿所述彩色层的过孔，所述过孔中设置有导电填充层，所述像素电极通过所述导电填充层与所述TFT的漏极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舒适，惠官宝，薛建设，徐传祥，刘陆，齐永莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：