一种带隙基准电压源电路制造技术

本发明专利技术提供了一种带隙基准电压源电路，属于集成电路领域。该带隙基准电压源电路包括：两个电流通路的电流镜通路，第一电流通路包括依次串联的第一mos管、第二mos管、第一电阻、第一三极管；第二电流通路包括依次串联的第三mos管、第四mos管、第二电阻、第三电阻、第二三极管，第四mos管的源极作为基准电压输出端。该带隙基准电压源电路只有两条电流支路，与现有技术相比，减少了mos管和三极管的使用，有效的减小了带隙基准电压源电路的面积，同时也减小了电流大小及电压源电路的功耗，从而达到降低电路成本及使用成本的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种带隙(bandgap)基准电压源电路。
技术介绍
现有技术提供了一种带隙基准电压源电路如图I所示，所述传统带隙基准电压源电路主体部分包括第一mos管Ml、第二mos管M2、第三mos管M3、第四mos管M4、第五mos管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3。其中，第一 mos管Ml、第二 mos管M2为增强型nmos管，第三mos管M3、第四mos管M4、第五mos管M5为增强型pmos管。其中，第三mos管M3的源极接电源VDD，栅极连接第四mos管M4的栅极，漏极接第 一 mos管Ml的漏极；第一 mos管Ml的栅极和漏极连接并与第二 mos管M2的栅极连接，源极和第一三极管Ql的发射极连接；第一三极管Ql的基极和集电极接地；第三mos管M3、第一 mos管Ml、第一三极管Ql共同构成第一分支电路。第四mos管M4源极接电源VDD,栅极和漏极相连,漏极和第二 mos管M2的漏极及第五mos管M5的栅极相连；第二 mos管M2的源极接第一电阻Rl的一端；第二三极管Q2的发射极接第一电阻Rl的另一端；第二三极管Q2的基极和集电极接地；第四mos管M4、第二mos管M2、第一电阻R1、第二三极管Q2共同构成第二分支电路。第五mos管M5源极接电源VDD，漏极接第二电阻R2的一端；第三三极管Q3的发射极接第二电阻R2的另一端，第三三极管Q3的基极和集电极接地；第五mos管M5、第二电阻R2、第三三极管Q3共同构成第三分支电路。第五mos管M5的漏极引出电压输出端Vout。该带隙基准电压源路中第三mos管M3和第四mos管M4形成电流镜，使第一分支电路和第二分支电路的电流相等。这样第一 mos管Ml的源极和第一三极管Ql的射极相连的节点电压就与第二 mos管M2的源相和第一电阻Rl相连的节点电压相等。则第一电阻Rl两端的电压差就是Vbei — Vbe2，其中Vbei为第一三极管Ql的基极与发射极间的电压，Vbe2为第二三极管Q2的基极与发射极间的电压，第二三极管Q2的个数是N，而第一三极管Ql的个数是I;这样流过第一电阻Rl上的电流推导过程如下第一电阻Rl两端的电流表达式是，其中Vm =. Frln11: Is I, = VtIqI:+/XIs I, ντ 为第一三极管 Qi 的热电压，Is 为第一三极管Ql的饱和电流，I是流入第一三极管Ql发射极端ロ的电流，Rl为第一电阻Rl的阻值，将 = Jfrin U, / I ’ = Vr In ,7, Ms I 带入公式■■■■■■■■■■’ 得到第ー电阻Rl两端的电流表达式为g IfilM4。同理，电压输出端的输出电压权利要求1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括两个电流通路的电流镜通路，第一电流通路包括依次串联的第一mos管、第二mos管、第一电阻、第一三极管；第二电流通路包括依次串联的第三mos管、第四mos管、第二电阻、第三电阻、第二三极管，所述第四mos管的源极作为基准电压输出端。2.如权利要求I所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一电流通路中第一mos管的源极接电源端，栅极接所述第三mos管的栅极，漏极接第二 mos管的漏极；所述第二 mos管的栅极和漏极相连，且栅极与第四mos管的栅极相连，源极接所述第一电阻的一端；所述第一三极管的发射极连接所述第一电阻的另一端；基极和集电极接地。3.如权利要求2所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第二电流通路中第三mos管的源极接电源端，栅极和漏极连接；漏极连接所述第四mos管的漏极；所述第四mos管的源极接所述第二电阻的一端；所述第三电阻的一端连接第二电阻的另一端；所述第二三极管的发射极连接所述第三电阻的另一端；所述第二三极管的基极和集电极接地，所述第四mos管的源极作为基准电压输出端。4.如权利要求I至3任一项所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第二三极管由N个三极管并联构成。5.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述N取8。6.如权利要求I所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一三极管、第二三极管均为双极型PNP三极管。7.如权利要求I所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一mos管、第三mos管为增强型Pmos管；所述第二 mos管、第四mos管为增强型nmos管。8.如权利要求I所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻阻值相等。9.如权利要求I所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述输出基准电压可表示为全文摘要本专利技术提供了一种带隙基准电压源电路，属于集成电路领域。该带隙基准电压源电路包括两个电流通路的电流镜通路，第一电流通路包括依次串联的第一mos管、第二mos管、第一电阻、第一三极管；第二电流通路包括依次串联的第三mos管、第四mos管、第二电阻、第三电阻、第二三极管，第四mos管的源极作为基准电压输出端。该带隙基准电压源电路只有两条电流支路，与现有技术相比，减少了mos管和三极管的使用，有效的减小了带隙基准电压源电路的面积，同时也减小了电流大小及电压源电路的功耗，从而达到降低电路成本及使用成本的效果。文档编号G05F3/30GK102854913SQ201110175848公开日2013年1月2日 申请日期2011年6月28日 优先权日2011年6月28日专利技术者李佳栩, 刘辉, 傅璟军, 胡文阁 申请人:比亚迪股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括：两个电流通路的电流镜通路，第一电流通路包括依次串联的第一mos管、第二mos管、第一电阻、第一三极管；第二电流通路包括依次串联的第三mos管、第四mos管、第二电阻、第三电阻、第二三极管，所述第四mos管的源极作为基准电压输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳栩，刘辉，傅璟军，胡文阁，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：