菲咯啉衍生物化合物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法、以及使用此的电子传输性材料、发光元件、发光器件及电子设备。该菲咯啉衍生物化合物表示为下述通式1。(注意,在通式1中,Ar1表示芳基,优选为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、或取代或未取代的菲基)注意,作为优选的化合物,例如可以举出TMPBP、NaBP及PBP等。在发光元件、发光器件及电子设备中,优选所述化合物含于其发光层。在此情况下,优选利用所述化合物作为主体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法。而且，本专利技术还涉及利用此的电子传输性材料、发光元件、发光器件及电子设备。更详细地说，本专利技术涉及一种具有优良的电子传输性且不容易产生晶化，结果可以使元件持久耐用，因此适用于发光元件的新的菲咯啉衍生物化合物及其制造方法，并且还涉及利用此的电子传输性材料、发光元件、发光器件及电子设备。
技术介绍
近年来，对于利用发光有机化合物的称作电致发光元件的发光元件的研究开发成为一个热点。该发光元件也称作有机EL元件，其基本结构如下在一对电极之间夹有包含发光有机化合物的层。通过将电压施加到该元件中，电子及空穴分别从一对电极注入到包含发光有机化合物的层中，以使得电流流过。然后，通过这些载流子(电子及空穴)的重新结合，发光有机化合物产生激发态。发光是当该激发态回到基态时发生的。作为其具体的结构，典型的是附图说明图12及图13所示的结构。图12所示的结构如下在金属电极I即阴极和透明电极2即阳极之间层叠有荧光体薄膜(发光层)3及空穴传输层4，这种两层结构。此外，图13所示的结构如下在金属电极I和透明电极2之间层叠有电子传输层5、发光层3及空穴传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种菲咯啉衍生物，其表示为结构式(24)至(29)中的任一种，FDA00002157127500011.jpg,FDA00002157127500021.jpg

【技术特征摘要】
2005.08.11 JP 2005-2333821.一种菲咯啉衍生物，其表示为结构式(24)至(29)中的任一种，2.一种包括含有根据权利要求I的所述菲咯啉衍生物的层的发光元件。3.一种包括含有发光性物质及根据权利要求I的所述菲咯啉衍生物的发光层的发光元件。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中所述发光性物质为磷光发光性物质。5.—种包括含有根据权利要求I的所述菲咯啉衍生物的电子传输层的发光兀件。6.一种包括含有根据权利要求I的所述菲咯啉衍生物的阻挡层的发光元件。7.一种包括根据权利要求2的所述发光兀件的发光器件。8.一种包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村亮二，井上英子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：