一种破碎多晶硅的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明专利技术所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明专利技术所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本发明专利技术不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一种轻多晶硅的破碎方法及设备，属于多晶硅破碎领域。
技术介绍
随着化石能源的逐渐枯竭以及环境污染问题的日益加剧，探寻一种无污染的可再生能源成为当务之急。充分利用太阳能，对在低碳模式下实现可持续发展具有重要的经济和战略意义。多晶硅是生产太阳能光伏电池的主要原料。多晶硅的破碎是多晶硅生产企业最后的生产环节，其完成的好坏直接与多晶硅品质和企业效益联系在一起。多晶硅企业破碎多晶硅几乎全部采用机械法破碎，机械法破碎有人工破碎和自动破碎两种方法。人工破碎就是使用锤子(或其他硬质工具)把多晶硅敲碎，然后筛分包装的方法。自动破碎采用机械破碎装置(颚式破碎机，冲击锤破碎机等)把多晶硅压碎的一种方法。以上两种方法都是破碎工具与多晶硅机械碰撞产生的压力使多晶硅碎裂的方法，这些方法有以下弊端 I、破碎工具与多晶硅机械碰撞不可避免产生金属污染，特别是铁污染会严重降低多晶娃的少子寿命。2、机械破碎过程中不可避免产生大量的碎屑和微粉，降低受率，严重影响多晶硅的品质和企业的收益。3、碎屑和微粉会污染环境，危机员工的健康，更细小的粉尘在空气中易燃易爆，会有很大的安全隐患。专利技术内容本专利技术要解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种破碎多晶硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。

【技术特征摘要】
1.一种破碎多晶硅的方法，其特征在于包括如下步骤 步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准； 步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。2.根据权利要求I所述的破碎多晶硅的方法，其特征在于所述步骤二采用电容高压放电的方式对水池施加瞬间高压电，具体操作如下 a.使用市电通过高压变电器对充电电容充电； b.当充电电容的电压达到隔尚间隔开关的击穿电压时，隔尚间隔开关被击穿，此时充电电容所储存的能量全部加在水池上； c.重复以上步骤，直至多晶硅全部被击碎时停止。3.根据权利要求2所述的破碎多晶硅的方法，其特征在于所述隔离间隔开关的击穿电压为30-100KV，所述隔离间隔开关的放电间隙10-50mm，所述水池的放电间隙为30-80mmo4.根据权利要求I至3任一项所述的破碎多晶硅的方法，其特征在于所述水池中的水的电阻率彡16. 2 ΜΩ. cm，SiO2含量彡10 μ g/L，Fe含量彡I. O μ g/L，Ca含量彡I. 0μ g/1^，恥含量彡2(^8/1，Mg含量彡1.0g/L。5.根据权利要求I所述的破碎多晶硅的方法，其特征在于所述步骤一中先向水池中注入1/2 — 3/4容积的水，再向水中放入多晶硅，水将全部多晶硅淹没其中。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂林，银波，胡光健，周慧，
申请(专利权)人：特变电工新疆硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：