本发明专利技术公开了一种多晶硅尾气干法回收系统中热能回收工艺，包括步骤：a1、120～150℃的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加热；a2、通过旁路阀调节120～150℃的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温；a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至30～40℃。本发明专利技术实现多晶硅尾气干法回收系统合成解析塔塔釜采用120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷作为热源进行塔釜加热，减少了合成尾气热能回收系统蒸汽的消耗，有效的利用了多晶硅尾气干法回收系统中解析后的120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷所携带的热量。本发明专利技术同时公开了一种多晶硅尾气干法回收中热能回收系统。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种多晶硅生产领域，具体涉及改良西门子法生产多晶硅的尾气回收领域。
技术介绍
在改良西门子法生产多晶硅的尾气回收系统，氢化尾气及还原尾气回收系统中高压解析区的解析塔塔釜排出的高温贫液氯硅烷通过换热器水冷后，再用泵进行输送。合成尾气回收系统中高压解析区塔釜再沸器使用蒸汽进行加热，具体流程如下 氢化尾气或还原尾气回收系统高压区在解析塔塔釜，富液氯硅烷通过解析塔塔釜再沸器被蒸汽加热至120 150°C进行解析，被解析后的120 150°C贫液氯硅烷通过再沸器冷却器进行换热后，降温至30 40°C再通过泵进行输送至下一设备。在解析塔塔顶，-40 氯化氢液体被采出，送至汽化器进行电加热汽化。合成尾气回收系统高压区在合成解析塔塔釜，富液氯硅烷通过合成解析塔釜再沸器被蒸汽加热至110 125°c进行解析，被解析后的110 125°C贫液氯硅烷通过合成再沸器冷却器进行换热后，降温至40°C再通过泵进行输送至下一设备。在上述过程中氢化或还原贫液氯硅烷携帯大量热量需要冷媒进行逐渐冷却消耗冷量，而合成富液氯硅烷需要热源进行加热消耗热量。但在目前エ艺中合成尾气回收系统合成解析塔再沸器采用蒸汽热源进行加热解析，从这里我们也可以发现氢化尾气或还原尾气回收系统中解析后的120 150°C贫液氯硅烷所携帯的热量未进行有效利用，氢化尾气、还原尾气回收系统及合成尾气回收系统热能综合利用不合理。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对生产多晶硅的改良西门子法中尾气干法回收系统热能利用不合理性，提供一种多晶硅尾气干法回收中热能回收系统，降低合成尾气回收系统的能耗。本专利技术的目的通过以下技术方案来具体实现 一种多晶硅尾气干法回收中热能回收エ艺，包括步骤 al、120 150°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加热； a2、通过旁路阀调节120 150°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温； a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至30 40°C。—种多晶硅尾气干法回收中热能回收系统，包括合成解析塔再沸器和冷却器，所述合成解析塔再沸器的热流体入口与120 150°C的氢化或还原贫液氯硅烷入口连通，所述合成解析塔再沸器的热流体出口与所述冷却器连通。在所述合成解析塔再沸器的热流体入口和热流体出口之间的管道上安装有旁路阀。本专利技术实现合成尾气热能回收系统中合成解析塔塔釜采用120 150°C氢化或还原贫液氯硅烷作为热源进行塔釜加热，減少了合成尾气热能回收系统蒸汽的消耗，有效的利用了氢化或还原尾气回收系统中解析后的120 150°C贫液氯硅烷所携帯的热量。附图说明下面根据附图和实施例对本专利技术作进ー步详细说明。图I是本专利技术实施例所述多晶硅尾气干法回收中热能回收系统的结构图。具体实施方式 实施例一 如图I所示，本专利技术实施例所述的多晶硅尾气干法回收中热能回收系统，包括合成解析塔再沸器I和冷却器2，所述合成解析塔再沸器I的热流体入口与120 150°C的氢化或还原贫液氯硅烷入口连通，所述合成解析塔再沸器I的热流体出口与所述冷却器2连通。在所述合成解析塔再沸器I的热流体入口和热流体出口之间的管道上安装有旁路阀3。本专利技术实现多晶硅尾气干法回收中热能回收系统中合成解析塔塔釜采用120 150°C氢化或还原贫液氯硅烷作为热源进行塔釜加热，減少了合成尾气热能回收系统蒸汽的消耗，有效的利用了氢化或还原尾气回收系统中解析后的120 150°C贫液氯硅烷所携带的热量。本专利技术实施例所述多晶硅尾气干法回收中热能回收エ艺，包括步骤 alU20°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加执. a2、通过旁路阀调节120°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温； a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至30°C。实施例ニ 与实施例一的不同之处在于，本专利技术实施例所述多晶硅尾气干法回收中热能回收エ艺，包括步骤 al、135°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加执. a2、通过旁路阀调节135°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温； a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至35°C。实施例三 与实施例一的不同之处在于，本专利技术实施例所述多晶硅尾气干法回收中热能回收エ艺，包括步骤 al、150°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加执. a2、通过旁路阀调节150°C的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温； a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至40°C。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅尾气干法回收中热能回收工艺，包括步骤：a1、120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加热；a2、通过旁路阀调节120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温；a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至30～40℃。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅尾气干法回收中热能回收工艺，包括步骤 al、120 150°C氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加热； a2、通过旁路阀调节120 150°C氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温； a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至3...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，陈喜清，陈朝霞，叶冬梅，张吉武，
申请(专利权)人：特变电工新疆硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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