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本发明公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用...
该专利属于特变电工新疆硅业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过特变电工新疆硅业有限公司授权不得商用。

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