处理基材的设备和方法技术

本发明专利技术提供一种处理基材的设备和方法，更具体而言，提供一种具有簇结构的基材处理设备和使用它的基材处理方法。所述的处理基材的设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手。所述处理模块包括转移室、设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室、用于进行第一处理工艺的第一处理室和用于进行第二处理工艺的第二处理室，所述转移室包括用于转移所述基材的机械手，第一处理室与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围，第二处理室设置在所述转移室周围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体而言，涉及一种具有簇结构的 基材处理设备和使用它的基材处理方法。
技术介绍
通过经由几种工艺来处理诸如硅晶片等基材并在经处理的基材上形成电路图案，从而制作半导体器件。一般地，这种半导体器件通过以下过程制作用于在基材上形成薄氧化物层的氧化过程、用于涂布光致抗蚀剂的光致抗蚀剂过程、用于将对应于电路图案的光照射到基材上的曝光过程、用于使照射光的层显影的显影过程、用于选择性地除去不必要的部分以形成电路图案的蚀刻处理、用于将杂质注入基材的与电路图案连接的部分中的注入过程、用于在基材的表面上沉积诸如气体等化学物质以形成绝缘层或导电层的化学气相沉积(CVD)过程以及用于将配线与形成在基材表面上的电路连接的金属化过程。上面各过程可以在腔室内进行。近年来，由于半导体器件的小型化和高密度集成的增加，需要执行这些复杂压缩的各种腔室。根据这种趋势，要求半导体制作设备的腔室之间的布局能够改善半导体器件的吞吐量并且有效地进行半导体制作工艺。对于代表性的例子，具有簇结构的半导体制作设备披露在韩国注册专利No. 10-0839911中。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够改善半导体器件的吞吐量的基材处理设备和方法。本专利技术还提供一种基材处理设备和方法，其中在固定空间内能够设置更大量的用于进行处理工艺的腔室。本专利技术还提供一种能够减少基材的转移路线的基材处理设备和方法。本专利技术构思的特征不限于上述内容，相反，本领域技术人员从这些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。本专利技术的实施例提供处理基材的设备。在一些实施例中，所述处理基材的设备可以包括装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括转移室，包括用于转移所述基材的机械手；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；和用于进行第二处理工艺的第二处理室，它设置在所述转移室周围。在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述转移室和所述转移模块之间。在其他实施例中，第二处理室可以包括壳体，具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口 ；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；用于使所述壳体的内部减压的减压件；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。在其他实施例中，第二处理室可以包括壳体，具有面对所述转移室的侧面和另一挡住侧，在所述侧面中限定有第一开口 ；用于打开或关闭第一开口的第一门；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。在其他实施例中，第二处理室可以包括用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。 在其他实施例中，所述装载锁闭室可以包括用于提供缓冲空间的壳体，所述壳体具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；和用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽。在其他实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以彼此叠置。在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述装载锁闭室下方。在其他实施例中，其中第二处理室可以包括壳体，它设置在所述装载锁闭室下方；等离子体源，它设置在所述装载锁闭室上方，用于产生等离子体；和供应管，它设置在所述装载锁闭室的外壁上，用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中。 在其他实施例中，所述处理模块可以包括多个第二处理室。在其他实施例中，所述多个第二处理室中的每一个可以包括壳体；用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。在其他实施例中，所述处理模块可以包括用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到多个第二处理室中的每一个的壳体中的供应管，其中所述供应管可以与所述等离子体源连接并分支到所述多个第二处理室中，阀门设置在每个分支的供应管中。在其他实施例中，所述多个第二处理室可以彼此叠置。在其他实施例中，所述多个第二处理室可以在横向上平行设置。在其他实施例中，第二处理室可以与第一处理室叠置。在本专利技术的其他实施例中，处理基材的设备包括装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括转移室，包括用于转移所述基材的机械手；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；和设置在所述转移室和所述转移模块之间的第二处理室，其中所述装载锁闭室和第二处理室具有彼此不同的结构。在一些实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以彼此叠置。在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述装载锁闭室下方。在其他实施例中，所述装载锁闭室可以包括用于提供缓冲空间的第一壳体；和用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽，其中第二处理室可以包括设置在第一壳体下方的第二壳体；设置在第二壳体内以支撑所述基材的支撑件；设置在第一壳体上方以产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到第二壳体中的供应管。 在其他实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以在横向上平行设置。在本专利技术的其他实施例中，提供一种使用基材处理设备处理基材的方法，所述基材处理设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括转移室、第一处理室、装载锁闭室和第二处理室，所述方法包括通过所述装载锁闭室将收容在所述容器中的基材从所述转移模块转移到所述处理模块中；在第一处理室中进行第一处理工艺；在设置于所述转移室和所述转移模块之间的 第二处理室中进行第二处理工艺；和将所述基材从所述处理模块转移到所述转移模块中。在一些实施例中，所述的将所述基材转移到所述转移模块中可以包括在进行第二处理工艺之后将所述基材从第二处理室直接转移到所述转移模块中。在其他实施例中，所述方法还可以包括在将所述基材转移到第二处理室中之前将第二处理室的内部压力减压。在其他实施例中，所述的将所述基材转移到所述转移模块中可以包括在进行第二处理工艺之后通过所述转移室的转移机械手将所述基材从第二处理室转移到所述装载锁闭室中；和通过所述转移模块的转移机械手从所述装载锁闭室取出所述基材。在其他实施例中，第一处理工艺可以包括蚀刻处理、分层处理、灰化处理、剥离处理和沉积处理中的至少一种。在其他实施例中，第二处理工艺可以包括清洁处理、剥离处理、灰化处理和加热处理中的至少一种。附图说明附图用于进一步理解本专利技术，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示本专利技术的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中图I是根据本专利技术实施例的基材处理设备的平面图；图2和图3是显示图I的装载锁闭室的剖视图；图4和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基材的设备，所述设备包括：装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块包括：转移室，包括用于转移所述基材的机械手；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；和用于进行第二处理工艺的第二处理室，它设置在所述转移室周围。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金炯俊，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：