【技术实现步骤摘要】
本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种基板支撑单元、具有该基板支撑单元的基板处理设备以及环传送方法。
技术介绍
1、等离子体是指由离子、自由基和电子组成的电离气体状态。等离子体由非常高的温度、强电场或高频电磁场(rf电磁场)产生。半导体器件制造过程可以包括使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻过程。通过等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应来进行蚀刻过程。
2、一种使用等离子体的基板处理设备包括：过程室；支撑组件，该支撑组件用于将基板支撑在过程室中；以及等离子体源，该等离子体源用于从气体产生等离子体以处理基板。支撑组件包括通过静电力固定基板的静电卡盘和围绕安置在静电卡盘上的基板的外圆周的聚焦环。聚焦环将等离子体高度均匀地分布在基板的表面上。当在基板上重复进行蚀刻时，聚焦环也被蚀刻，从而逐渐改变聚焦环的形状。根据聚焦环形状的改变，离子和/或自由基入射到基板上的方向改变，并且因此基板的蚀刻特性改变。
3、因此，当在基板上重复进行蚀刻处理时，或者当聚焦环的形状改变并且在允许范围之外时，需要替换聚焦环。通常，聚焦环的替换是通过操作员打开过程室、从打开的过程室中取出用过的聚焦环并且将未使用的聚焦环安装到过程室来完成的。
4、然而，这样的替换方法不仅需要大量的工作时间，而且很有可能将颗粒引入到过程室中。因此，最近使用了一种替换方法，通过该替换方法，使用过的聚焦环从过程室中取出，并且由基板处理设备的传送机器人引入到环吊舱中，并且然后新的聚焦环从环吊舱中取出，并且由传送机器人
5、聚焦环的传送可以由传送基板的传送机器人执行。支撑组件设置有升降销，用于将聚焦环从支撑组件提升/降低或将聚焦环安置在支撑组件上以传送聚焦环。根据需要的数量设置多个聚焦环。如果设置了多个聚焦环，用于提升或降低聚焦环的升降销的结构决定了传送的难易程度、传送时间和过程室的高度。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施方式提供了一种基板支撑单元和具有该基板支撑单元的基板处理设备，以及一种用于方便地传送多个聚焦环的环传送方法。
2、本专利技术构思的实施方式提供了一种基板支撑单元和具有该基板支撑单元的基板处理设备，以及一种用于使过程室的高度最小化的环传送方法。
3、本专利技术构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。
4、本专利技术构思提供了一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：过程室，在所述过程室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为将基板支撑在所述处理空间中；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为向所述处理空间供应过程气体；以及等离子体源，所述等离子体源用于从所述过程气体产生等离子体，并且其中所述基板支撑单元包括：支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；基座，所述基座定位在所述支撑板下方；第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑单元上的所述基板；第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且其中所述环升降销组件包括：第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；中空轴形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，并且具有供第一销从中穿过的孔；以及驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述第一销和所述第二销，并且其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
5、在实施方式中，所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元处相互接触。
6、在实施方式中，所述第一销被设置为能够从所述第二销的顶部伸出。
7、在实施方式中，所述驱动单元包括用于提升和降低所述第一销的第一驱动机构；和用于提升和降低所述第二销的第二驱动机构。
8、在实施方式中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且当所述基板被处理时，所述第二销被定位在比所述第二环更靠底侧的位置，并且当所述第一环被传送时，所述第一销在向上方向上移动以与所述第一环的底表面接触，并且当所述第二环被传送时，所述第二销在向上方向上移动以与所述第二环的底表面接触。
9、在实施方式中，所述的基板处理设备进一步包括：传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且其中，当所述第一环被传送时，所述控制器被配置为控制所述驱动单元将所述第一销从所述第一环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并控制所述传送单元从所述第一销接收所述第一环。
10、在实施方式中，当所述第二环被传送时，所述控制器被配置为控制所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并被配置为控制所述传送单元从所述第二销接收所述第二环。
11、在实施方式中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，以在所述第一环被送到所述传送单元后提升所述第二环。
12、在实施方式中，所述基板处理设备进一步包括：传送单元，所述传送单元用于将所述第一环或所述第二环送入所述过程室内部和从所述过程室内部取出；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，并且其中，当所述第二环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为在所述第二环被定位成当从上方观察时所述第二环的所述通孔和所述第一销重叠后，控制所述传送单元将所述第二环送到所述第二销上，并且所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第二销，从而所述第二环被安装在所述支撑板上。
13、在实施方式中，当所述第二环被安装在所述支撑板上之后，所述第一环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为控制所述传送单元将所述第一环传送到所述第一销，并且所述控制器被配置为控制所述驱动单元降低所述第一销，从而所述第一环被安装在所述支撑板上。
14、本专利技术构思提供了一种基板支撑单元，所述基板支撑单元设置在过程室内并且在所述基板支撑单元上放置基板，所述基板支撑单元包括：支撑板，在所述支撑板上放置所述基板；第一环，所述第一环设置为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；第二环，所述第二环设置在所述第一环下方并且具有通孔；以及环升降销组件，所述环升降销组件用于提升和降低所述第一环和所述第二环，并且其中所述环升降销组件包括：第一销，所述第一销设置为用于插入到所述通孔中，并且用于提升和降低所述第一环；中空形状的第二销，所述第二销用于提升和降低所述第二环，并且具有用于供所述第一销从中穿过的孔；以及用于驱动所述第一销和所述第二销的驱动装置，并且其中，当从上方观察时，所述通孔与所述第一环重叠。
15、在实施方式中，所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元上放置为相互接触。
16、在实施方式中，所述第一销被设置成能够从所述第二销的顶部伸出。
17、在实施方式中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元处相互接触。
3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一销被设置为能够从所述第二销的顶部伸出。
4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述驱动单元包括：
5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且
6.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，当所述第二环被传送时，所述控制器被配置为控制所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并被配置为控制所述传送单元从所述第二销接收所述第二环。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，以在所述第一环被送到所述传送单元后提升所述第二环。
9.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，
11.一种基板支撑单元，所述基板支撑单元设置在过程室内并且在所述基板支撑单元上放置基板，所述基板支撑单元包括：
12.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元上放置为相互接触。
13.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中所述第一销被设置成能够从所述第二销的顶部伸出。
14.如权利要求11所述的基板支撑单元，其中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且
15.如权利要求11所述的基板支撑单元，进一步包括被配置为控制所述驱动单元的控制器，并且
16.如权利要求15所述的基板支撑单元，其中在所述第一环被传送到所述过程室的外部后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
17.如权利要求16所述的基板支撑单元，其中所述控制器被配置为控制所述驱动单元通过降低其上安装有所述第二环的所述第二销来将所述第二环安装在所述支撑板上，以及在所述第二环安装在所述支撑板上之后，通过降低其上安装有所述第一环的所述第一销来将所述第一环安装在所述支撑板上。
18.一种通过使用如权利要求1所述的基板处理设备来传送所述第一环和所述第二环的环传送方法，所述环传送方法包括：
19.如权利要求18所述的环传送方法，其中在所述第一环被传送到所述过程室的外部之后，所述第二环被传送到所述过程室的外部。
20.如权利要求19所述的环传送方法，其中在所述第一环和所述第二环被传送到所述过程室的内部时，依次传送所述第二环和所述第一环，并且
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一环的底表面和所述第二环的顶表面在所述基板支撑单元处相互接触。
3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述第一销被设置为能够从所述第二销的顶部伸出。
4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述驱动单元包括：
5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，当所述基板被处理时，所述第一销被定位在比所述第一环更靠底侧的位置，并且
6.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，当所述第二环被传送时，所述控制器被配置为控制所述第二销从所述第二环的底侧提升到所述支撑板的顶侧，并被配置为控制所述传送单元从所述第二销接收所述第二环。
8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述控制器被配置为控制所述驱动单元和所述传送单元，以在所述第一环被送到所述传送单元后提升所述第二环。
9.如权利要求5所述的基板处理设备，进一步包括：
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，当所述第二环被安装在所述支撑板上之后，所述第一环被安装在所述支撑板上时，所述控制器被配置为控制所述传送单元将所述第一环传送到所述第一销，并且
11.一种基板支撑单元，所述基板支撑单元设置在过程室内并且在所述基板支撑单元上放置基板，所述基板支撑单元包括：
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