【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。更具体地，本公开涉及基板处理装置和使用该基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置允许化学液体深入地渗透到设置在晶片上的图案之间的间隙中。
技术介绍
1、通过若干个步骤来制造半导体器件，这些步骤包括扩散工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺。在这方面，在扩散工艺、蚀刻工艺和抛光工艺中的相邻工艺之间执行清洁工艺。
2、近年来，由于技术变得更加先进使得基板图案变得更加精细，清洁工艺是用于提高半导体器件的产量的重要工艺。清洁工艺可以通过化学物质处理、气体供应和物理方案来去除基板表面上的杂质。
3、对于该清洁工艺，可以使用各种类型的化学液体。在将化学液体喷射到基板上之前，可以在化学液体供应装置中调整化学液体的浓度和温度。化学液体被喷射到基板的中心上，然后在旋转中的基板的离心力的作用下流到基板的外部区域，并且渗透到基板的图案之间。
4、然而，在该方案中，当化学液体流入基板的图案之间时，施加到化学液体的阻力随着化学液体流向图案的壁而增加，使得化学液体的渗透深度受到限制。因此，难以...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器被配置为：
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器被配置为以规则间隔周期性地且反复地施加所述第一旋转控制信号和所述第二旋转控制信号。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一转速和所述第二转速之间的差在500rpm至750rpm的范围内。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一转速在1500rpm至2000rpm的范围内。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第二转速在75...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器被配置为：
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器被配置为以规则间隔周期性地且反复地施加所述第一旋转控制信号和所述第二旋转控制信号。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一转速和所述第二转速之间的差在500rpm至750rpm的范围内。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一转速在1500rpm至2000rpm的范围内。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第二转速在750rpm至1500rpm的范围内。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器被配置为施加所述第一旋转控制信号达第一时间之久，然后施加所述第二旋转控制信号达第二时间之久。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述第一时间和所述第二时间彼此相等。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述第一时间和所述第二时间中的每一个在1秒至5秒的范围内。
10.一种使用基板处理装置的基板处理方法，其中，所述基板处理装置包括：
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，所述化学液体涂覆步骤包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：金康卨，金兑根，崔俊熙，李炅珉，金容准，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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