多腔体薄膜沉积装置及其抽气模块制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种多腔体薄膜沉积装置及其抽气模块，所述抽气模块主要包含一汇流腔体与多个抽气管。汇流腔体的上部截面积大于汇流腔体的下部截面积。每一个抽气管的一端连接一反应腔体，另一端连接汇流腔体上部的一入口。藉此，抽气模块操作时可以产生一漩涡式的流场，以便于提供每一个反应腔体强度相似的抽气能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多腔体薄膜沉积装置及其抽气模块。
技术介绍
薄膜沉积(Thin Film Deposition)可应用于各种物品或组件,例如半导体组件等的表面处理；它是一种在各种材料例如金属、超硬合金、陶瓷及晶圆基板的表面上，成长一层或多层同质或异质材料薄膜的制程。依据沉积过程是否含有化学反应，薄膜沉积可区分为物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition,简称 PVD)及化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition,简称 CVD)。随着沉积技术及沉积参数差异，所沉积薄膜的结构可能是「单晶」、「多晶」、或「非 结晶」的结构。单晶薄膜的沉积在集成电路制程中特别重要，称为「磊晶」(epitaxy)。磊晶成长的半导体薄膜的主要优点是因为在沉积过程中可直接掺杂施体或受体，因此可精确控制薄膜中的「掺质分布」(dopant profile),并且不包含氧与碳等杂质。金属有机化学气相沉积(Metal-OrganicChemical VaporDeposition,简称M0CVD)，其原理是利用承载气体携带气相反应物，或是前驱物进入装有晶圆的腔体中，晶圆下方的承本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于多腔体薄膜沉积装置的抽气模块，包含：一汇流腔体，且该汇流腔体的上部截面积大于该汇流腔体的下部截面积；以及多个抽气管，连接于所述汇流腔体，其中每一个该抽气管的一端连接所述多腔体薄膜沉积装置的一反应腔体，另一端连接所述汇流腔体的上部的一入口；藉此，所述抽气模块操作时在所述汇流腔体内产生一漩涡式的流场，以便于提供每一个反应腔体强度相似的抽气能力。

【技术特征摘要】
1.一种适用于多腔体薄膜沉积装置的抽气模块，包含 一汇流腔体，且该汇流腔体的上部截面积大于该汇流腔体的下部截面积；以及 多个抽气管，连接于所述汇流腔体，其中每一个该抽气管的一端连接所述多腔体薄膜沉积装置的一反应腔体，另一端连接所述汇流腔体的上部的一入口 ；藉此，所述抽气模块操作时在所述汇流腔体内产生一漩涡式的流场，以便于提供每一个反应腔体强度相似的抽气能力。2.如权利要求I的抽气模块，其中所述汇流腔体的俯视形状近似一圆形，且每一个所述抽气管的另一端以切线方向连接所述汇流腔体上部的一入口。3.如权利要求I的抽气模块，其中所述汇流腔体为一体成形或是多部件组合而成。4.如权利要求3的抽气模块，其中所述汇流腔体为一体成形，且所述汇流腔体具有碗状弧面或是倒置圆锥弧面。5.如权利要求3的抽气模块，其中所述汇流腔体是藉由一顶部组件与一底部组件组合rfu 。6.如权利要求5的抽气模块，其中所述顶部组件具有圆柱状弧面，所述底部组件具有碗状弧面或是倒置圆锥弧面。7.如权利要求5的抽气模块，其中所述顶部组件具有碗状弧面或是倒置圆锥弧面，所述底部组件具有圆柱状弧面。8.如权利要求I的抽气模块,其中所述汇流腔体的下部包含一出口，所述出口连接一排气管。9.如权利要求I的抽气模块，所述多腔体薄膜沉积装置是一种用于有机金属化学气相沉积的薄膜沉积装置。10.一种多腔体薄膜沉积装置，包含 多个反应腔体，其中每一个反应腔体包含一晶圆载...

【专利技术属性】
技术研发人员：方政加，杨成杰，
申请(专利权)人：绿种子能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：