气体传输装置及具有其的基片处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种气体传输装置，包括：气体传输通路，气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入不与所述各反应气体相互反应的隔离气体的隔离气体管道；和至少一个气体喷口，所述气体喷口设置在所述气体传输通路上，且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔，其中，所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通，所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。本发明专利技术还提出一种基片处理设备。根据本发明专利技术的具有该气体传输装置的基片处理设备防止在顶盖和托盘底部发生沉积，并有效防止顶盖和托盘底部薄膜脱落导致颗粒污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种气体传输装置及具有该气体传输装置的基片处理设备。
技术介绍
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)是20世纪60年代发展起来的利用金属有机化合物进行金属输运的一种化合物半导体气相外延新技术，而反应腔子系统是MOCVD设备的核心组件，其设计方案对于外延层质量和设备产率具有决定性的影响。传统的反应腔在硬件上由外壁、托盘、加热装置、进气装置、以及监测装置组成。 如图IA所示，为传统的喷淋头气体传输装置的进气孔的示意图。如图IB所示，为传统的喷淋头气体传输装置的示意图，该进气装置包括圆盘100，圆盘100设置在反应腔的上方正对衬底120和托盘131及132，圆盘100上密布数百个小孔110，其中，数百个小孔110的一部分通入III族元素气体，另一部分通入V族元素气体，III族元素和V族元素气体从数百个小孔110喷入反应腔，垂直喷向衬底120上，在衬底120表面混合并发生化学反应，以沉积形成薄膜。但是，由于小孔110个数很多，因此小孔直径必然很小，这就容易造成由于气体预反应而堵塞小孔，使气体不能全部进入反应腔，从而降低气体利用率。另外，气体也会在反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传输装置，其特征在于，包括：气体传输通路，所述气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道；和至少一个气体喷口，所述气体喷口设置在所述气体传输通路上，且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔，其中，所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通，所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。

【技术特征摘要】
1.一种气体传输装置，其特征在于，包括 气体传输通路，所述气体传输通路中设有用于通入各反应气体的反应气体管道组和用于通入隔离气体的隔离气体管道；和 至少一个气体喷口，所述气体喷口设置在所述气体传输通路上，且每个所述气体喷口包括沿所述气体传输通路的横截面方向排气的多层气孔，其中，所述多层气孔中的顶层气孔与所述隔离气体管道连通，所述多层气孔中所述顶层气孔以下的各层气孔匹配地与所述反应气体管道组中的各管道连通。2.如权利要求I所述的气体传输装置，其特征在于，包括多个气体喷口，所述多个气体喷口沿所述气体传输通路的轴向间隔地设置在所述气体传输通路上。3.如权利要求I所述的气体传输装置，其特征在于，所述多层气孔相互平行。4.如权利要求I所述的气体传输装置，其特征在于，所述反应气体管道组包括至少一条用于通入V族元素气体的V族元素气体管道、和至少一条用于通入III族元素气体的III族元素气体管道。5.如权利要求4所述的气体传输装置，其特征在于，所述反应气体管道组包括两条所述V族元素气体管道和一条所述III族元素气体管道。6.如权利要求5所述的气体传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀川，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：