沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种沉积装置，包括气体反应腔、尾气排出管和排堵进气管，其中，所述尾气排出管与所述气体反应腔连接，所述排堵进气管位于所述尾气排出管的侧壁，且与所述尾气排出管贯通。本发明专利技术沉积装置中的尾气排出管不易发生堵塞，提高了沉积装置的正常工作时间，且由于无需持续对尾气排出管进行保温，能够节省资源，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种沉积装置。
技术介绍
现有工艺在沉积氮化硅薄膜时，由于氮化硅(Si3N4)薄膜具有高的介电常数而被作为介电材料广泛应用在半导体制造领域，如制造闪存的工艺里需要形成一层ONO作为浮置栅极(Floating Gate)和控制栅极(Control Gate)之间的介电材料,ONO层中0代表二氧化硅薄膜，N代表氮化硅薄膜。另外，氮化硅薄膜不易被氧分子渗透，利用这一优点，以氮化硅作为罩幕层(Masking Layer),可以在场氧化层制作过程中，防止晶圆表面的有源区(Active Area)被 氧化，从而起到保护该有源区的作用。目前，业界大都以二氯二氢硅(DCS，SiH2Cl2)和氨气(NH3)为反应物，通过化学气相沉积工艺(CVD)沉积氮化硅薄膜，以二氯二氢硅和氨气为反应物的氮化硅薄膜的沉积装置如图I所示，包括第一进气管101、第二进气管103、气体反应腔105以及尾气排出管107 ;所述第一进气管101和第二进气管103均与所述气体反应腔105连接，分别将沉积反应所需的二氯二氢硅和氨气输送到气体反应腔105内以进行化学反应，并在晶圆上沉积形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，包括气体反应腔和尾气排出管，所述尾气排出管与所述气体反应腔连接，其特征在于，还包括排堵进气管，所述排堵进气管位于所述尾气排出管的侧壁，且与所述尾气排出管贯通。2.如权利要求I所述的沉积装置，其特征在于，所述排堵进气管靠近所述尾气排出管与气体反应腔连接端。3.如权利要求I所述的沉积装置，其特征在于，所述排堵进气管与所述尾气排出管一体成型。4.如权利要求I所述的沉积装置，其特征在于，所述排堵进气管与所述尾气排出管的侧壁的连接方式为套接或焊接或螺纹连接。5.如权利要求I所述的沉积装置，其特征在于，还包括气体流量监测器或气体流量监控器，所述气体流量监测器或气体流量监控器的一端与所述排堵进气...

【专利技术属性】
技术研发人员：李占斌，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：