发光二极管阵列及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种发光二极管阵列及其制造方法，首先形成一发光二极管结构于一暂时基板上；进行一元件化程序，通过间隙区隔发光二极管结构为第一发光二极管与第二发光二极管，且分别电性连接一第一电极以及一第二电极；放置至少一种高分子材料层于发光二极管结构上方且至少部分填充于间隙当中；于高分子材料层上形成至少一内连线，电性连接第一电极与第二电极；于完成内连线的高分子材料层上形成一功能结构；最后移除暂时基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体发光元件，特别是有关于一种。
技术介绍
请参阅图1A，其是一现有技术水平式发光二极管的构造示意图，水平式发光二极管包含有嘉晶基板11，自嘉晶基板11向上嘉晶成长的嘉晶结构12a,以及设置在嘉晶结构12a上，用以提供电能的电极单元13a。磊晶基板11由易于供氮化(铟)镓系列半导体材料嘉晶成长的材料，例如蓝宝石(sapphire)或碳化娃来构成。磊晶结构12a通常是选自氮化(铟)镓系列半导体材料自磊晶基板11向上磊晶形成n型掺杂层121a及p型掺杂层122a，提供电能时n型掺杂层121a及p型掺杂层122a接面处所构成的发光区123a将产生电子-电洞复合现象，导致电子会位移到较低的能阶，同时以光子的模式释放出能量。目前发光区123a是以一多量子井(Multiple Quantum Well，简称MQW)结构来完成，用以在空间上限制了电子电洞的运动，使得电子和电洞有较高的机率复合，进而增强发光效率。而上述电极单元13a包括第一电极131a与第二电极132a，分别与n型掺杂层121a及P型掺杂层122a完成欧姆接触，进而对磊晶结构12a提供电能。当对第一、二电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑞华，卢怡安，
申请(专利权)人：绿种子能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：