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本发明揭露一种发光二极管阵列及其制造方法,首先形成一发光二极管结构于一暂时基板上;进行一元件化程序,通过间隙区隔发光二极管结构为第一发光二极管与第二发光二极管,且分别电性连接一第一电极以及一第二电极;放置至少一种高分子材料层于发光二极管结构...该专利属于绿种子能源科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过绿种子能源科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明揭露一种发光二极管阵列及其制造方法,首先形成一发光二极管结构于一暂时基板上;进行一元件化程序,通过间隙区隔发光二极管结构为第一发光二极管与第二发光二极管,且分别电性连接一第一电极以及一第二电极;放置至少一种高分子材料层于发光二极管结构...