与集成电路集成的麦克风制造技术

一种集成电路（1000），其包含具有背侧腔体（1026）的电容式麦克风，背侧腔体位于集成电路的衬底（1002）内。可以在衬底表面上穿过介电支撑层（1004）形成进入孔（1006），从而为刻蚀剂提供进入衬底，以形成背侧腔体（1026）。可以在电容式麦克风的固定板（1010）和可渗透膜（1018）形成之后，通过将刻蚀剂穿过可渗透膜并穿过进入孔提供到衬底来刻蚀背侧腔体（1026）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路的领域。更特别地，本专利技术涉及将麦克风集成在集成电路中。
技术介绍
在集成电路中集成麦克风需要形成背腔体从而获得期望水平的麦克风灵敏度。形成具有足够容积的背腔体会增加集成电路的制造成本和复杂度。
技术实现思路
一种包含具有背侧腔体的电容式麦克风的集成电路可以形成为背侧腔体位于集成电路的衬底内。可以衬底表面上穿过介电支撑层形成进入孔，从而为刻蚀剂提供进入衬底，以形成背侧腔体。可以在电容式麦克风的固定板和可渗透膜形成之后，通过将 刻蚀剂穿过可渗透膜并穿过进入孔提供到衬底来刻蚀背侧腔体。附图说明参考附图描述示例实施例，其中图1A-1I是根据第一实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。图2A-2H是根据第二实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。图3A-3H是根据第三实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。图4A-4G是根据第三实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。图5是含有具有背侧腔体的电容式麦克风的集成电路的剖面图，该背侧腔体包括多于一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.31 US 61/291,763;2010.12.16 US 12/969,8591.一种含有电容式麦克风的集成电路，所述集成电路包含 衬底，所述衬底具有延伸到所述衬底的表面的半导体区域； 介电支撑层，所述介电支撑层在所述衬底的表面上形成，所述介电支撑层具有穿过所述介电支撑层的进入孔； 所述电容式麦克风的固定板，所述固定板位于所述介电支撑层上； 所述电容式麦克风的可渗透膜，所述可渗透膜位于所述固定板上，使得空间将所述可渗透膜与所述固定板隔开；以及 背侧腔体，所述背侧腔体在所述衬底中形成，所述背侧腔体穿过所述进入孔连接到所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间，使得所述腔体的底部位于所述衬底中。2.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述介电支撑层包括由浅槽隔离工艺形成的场氧化物。2.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述固定板接触所述介电支撑层。3.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述固定板通过互连区域与所述介电支撑层隔开。4.根据权利要求I所述的集成电路，其中所述背侧腔体的容积是所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间的容积的100倍以上。5.一种形成含有电容式麦克风的集成电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：WY·史赫，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：