一种含有特定粘合剂及增塑剂的干膜光阻剂制造技术

本发明专利技术提供了一种水溶液显影的干膜光阻剂，其组份中含有高分子粘合剂、游离基光引发剂、可加聚单体、增塑剂以及热聚合抑制剂，其特征在于：高分子粘合剂是一种含有羧基的可形成薄膜的粘合剂，是由下述的混合物聚合得到：该混合物包括(a)分子式为H2C＝CRCOO〔(CnH2n)X(CpH2p)〕mR’的单体，其中R是氢或甲基，R’是饱和或不饱和的C5-C12搭桥烷基，该烷基亦可被至少1个C1-C4的烷基或氢取代，X是氧或硫原子，n为2-4，p为0-4，m为0-2：(b)至少有一个C3-C15，α，β-不饱和，包含羧基的有3到15个碳原子的单体。增塑剂为含有羧基聚氨酯，分子量为10000-100000，自由羧基在主链，至少有一个烯键不饱和终端基团。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种水溶液显影的干膜光阻剂，尤其是干膜光阻剂中含有一种羧基的可形成薄膜的高分子粘合剂以及ー种含有羧基的聚氨酯的水溶液显影的干膜光阻剂。
技术介绍
水溶液显影的干膜光阻剂是可光聚合的组份，使用在印刷线路板的生产中，这些光阻剂通常是把阻抗物的溶液涂于ー种透明的聚酯薄膜载体上，然后把溶剂挥发后形成干膜。在通常的情况下，干膜光阻剂是和载体一起使用在铜覆盖的基物上，在一定的区域透过载体及底片曝光使干膜固化，然后用碱性水溶液洗滌从铜表面除去未曝光的干膜，暴露的铜层面再用蚀刻液蚀刻而除去，已曝光固化的干膜可用剥离液剥离，剩下的就是被固化干膜保护而未蚀刻掉的铜面而形成电子线路。在生产过程中，液性蚀刻以及电镀金通常是牵涉到碱性条件，从而会造成某些问题，譬如固化的光阻剂失去粘性，所以固化的光阻剂具有良好的抗阻该过程的性质就非常重要。未曝光的光阻剂能够快速地在铜板上被洗掉从而达到尽量快速显影也十分重要，为了容易地除去未曝光未固化的光阻剂，在光阻剂中就应该含有ー种含有羧基的能形成薄膜的闻分子粘合剂。用于光阻的可光聚合组分最好能够使曝光时间和显影时间最短，并且确保这可光聚合组分粘着到载体薄膜上而不是在覆盖薄膜上，确保已固化的物质的柔软性很重要，这样在操作过程中固化的物质不会裂碎。但是，在可光聚合组分的配分中，必须保持各种成分的精密平衡，对光阻剂的柔软性起好作用的物质，即使使用的量很少，仍可能对曝光的时间和显影时间会有负面影响或对该组分的贴着度有负面的影响。目前使用的增塑剂，如N-乙基-甲苯磺胺曾被加到可光聚组分的配方中去増加柔软性，然而，这种增塑剂可以从组分中渗漏出去从而限止了其有效性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种含有羧基的可形成薄膜的高分子粘合剂的水溶液显影的干膜光阻剂，此干膜光阻剂中还包含有ー个确保已固化的物质的柔软性的至少含有ー个こ烯基不饱和终端的含羧基的聚氨酯作为增塑剂，该水溶液显影的干膜光阻剂能克服现有技术中存在ー些不足之处。本专利技术的含有羧基的可形成薄膜的高分子粘合剂的水溶液显影的干膜光阻剂技术方案是这样实现的ー种水溶液显影的干膜光阻剂，其组份中含有高分子粘合剤、游离基光引发剂、可加聚单体、增塑剂以及热聚合抑制剂，其特征在于所述的高分子粘合剂是ー种含有羧基的可形成薄膜的粘合剂由下述的混合物聚合得到(a)分子式如下的单体 H2C = CRCOO〔 (CnH2n) X (CpH2p)〕mR，其中R是氢或甲基，R’是从下列基团中送出异降冰片基，冰片基，冰片烯基，异降冰片稀基，降冰片稀基，双环十一烧基，ニ环十_■烧基，ニ环八烧基，2-氛水片基，2. 3 一_.氢!降冰片基，X是氧或硫，η是2. 4, P是0-4, m是0-2 ；(b)至少有ー个3-15个炭原子的单体，该单体有α，β -不饱和键及包含有羧基或酸酐基团； (C)至少有ー个C1-C8烷基丙烯酸酯；(d)至少有ー个C1-C8烷基甲基丙烯酸酯；所述的增塑剂为含有羧基聚氨酯，其分子量为1000-100000，自由羧基基团在聚合物主链上，并至少含有一个烯键不饱和的終端基团。ー种含有羧基的可形成薄膜的高分子粘合剂由至少两个单体制成，第一个单体，(a)具有分子式H2C = CRCOO〔 (CnH2n)X(CpH2p)〕mR’，其中R是氢或甲基，R’是饱和或不饱和的C5-C12搭桥烷基，也可以是为至少I个C1-C4的烷基或氢取代，X是氧或硫原子，η为2-4，P为0-4，m为0-2。该饱和或非饱和C5-C12搭桥烷基R’是ー个有5_12个硫原子的多环碳氢化合物，具有ー个环或稠环，在环中有一个价链，原子或原子链联结在环的不同部分。该C1-C4烷基可以是甲基，こ基，丙基，异丙基，正丁基或异丁基，也可是卤素如氯，溴，碘或氟原子。随意的取代搭桥烷基的例子包括单环搭桥体系，例为异冰片基，冰片基，冰片稀基，异冰片稀基，降冰片稀基，双环〔4.3.2〕十一烧基，ニ环〔5. 3. I.2’6〕十_■烧基，ニ环〔3.2. I. O2’7〕十二辛烷基，2-氯降冰片基，2. 3-ニ氯降冰片基，以及稠环搭桥体系，例为ニ环戊基，l，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢-外-1.4 ;外-5，8_ ニ甲基萘。1，4_甲基戊烯基。制作上述搭桥基团的丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯也可以通用的酷化反应，譬如上述搭桥基因的醇的丙烯酸或甲基丙烯的酯化。第一类单体实例包括异冰片丙烯酯及甲基丙烯酯，其结构如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种水溶液显影的干膜光阻剂，其组份中含有高分子粘合剤、游离基光引发剂、可加聚单体、增塑剂以及热聚合抑制剂，其特征在于 所述的高分子粘合剂是ー种含有羧基的可形成薄膜的粘合剂由下述的混合物聚合得到 (a)分子式如下的单体H2C = CRCOO〔 (CnH2n)X(CpH2p)〕mR’ 其中R是氢或甲基，R’是选自下列基团异降冰片基，冰片基，冰片烯基，异降冰片烯基，降冰片稀基，双环十一烧基，ニ环十_■烧基，ニ环八烧基，2-氛水片基，2. 3 一_■氣降冰片基，X是氧或硫，η是2. 4, P是0-4, m是0-2 ； (b)至少有ー个3-15个炭原子的单体，该单体有α，β-不饱和键及包含有羧基或酸醇酐酯基团； (c)至少有ー个C1-C8烷基丙烯酸酯； (d)至少有ー个C1-C8烷基甲基丙烯酸酯； 所述的增塑剂为含有羧基聚氨酯，其分子量为1000-100000，自由羧基基团在聚合物主链上，并至少含有一个烯键不饱和的終端基团。2.按权利要求I所述ー种水溶液显影的干膜光阻剂，其特征在于在配方中，高分子粘合剂占干膜光阻剂总重量的40-70%，光游离基引发剂占O. 5-...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱红斌，陆德凯，
申请(专利权)人：中山市立顺实业有限公司，
类型：发明
国别省市：