一种干膜抗蚀剂层压体制造技术

本发明专利技术公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2~41.2mgKOH/g。本发明专利技术采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可进行碱溶液显影的干膜抗蚀剂层压体。
技术介绍
在印刷电路板、引线框架、半导体封装等的制造、BGA(BallGridArray)、CPS(Chip SizePackage)等的封装中，干膜抗蚀剂层压体广泛用于刻蚀或电镀等过程的抗蚀剂材料。 例如，在制造印刷电路板时，首先，在铜基板上层压干膜抗蚀剂层压体，用具有图形的掩模 遮盖于干膜抗蚀剂层压体，进行曝光，图形曝光后，用显影液去除未曝光部位，再实施刻蚀 或电镀处理而形成图形，最后用去除剂剥离去除固化部分，从而实现图形转移。 近年来，随着电子设备向着轻薄短小的方向发展，其所搭载的印刷电路板、引线框 架等图形的线条尺寸也越来越小，基板和已经形成图形的树脂组合物接触面积也处于变小 的趋势，为了以更高良品率制造这种窄间距的线路图形，这就要求干膜抗蚀剂层压体具有 良好的分辨率和侧边形貌。 但是，现有的技术是，在图形曝光、显影后，在未曝光的图形靠近曝光部分的侧边 根部，由于线路过细造成冲洗死角等原因，容易出现碱液未能洗去的残胶，在后续的刻蚀或 电镀，并最终除去固化后的抗蚀剂时，对应地，铜线条就形成外凸的毛刺和镀层往里凹的金 属坑洞。在图形线条间隙更窄时，这种残胶越是严重，极端情况就是，线条之间的胶表面已 除去，但线条之间，金属表面仍存在薄薄的一层残胶，分辨率无法提升。虽然通过提升抗蚀 剂层的酸值，降低抗蚀剂中碱可溶性树脂的分子量等方法可以得到一些改善，但这些方法 的使用也使得显影后图形线条的侧边形貌变差，变得不耐碱洗，线条棱角变得不分明。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种干膜抗蚀剂层压体，其在印刷 电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用 或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、 涂覆于支撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第 一抗蚀剂层的酸值为80?400mgK0H/g，第二抗蚀剂层的酸值为82?441. 2mgKOH/g，并且， 第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2?41. 2mgKOH/g。 进一步地，所述第一抗蚀剂层厚度为5?50微米，第二抗蚀剂层厚度为1-10微 米。 进一步地，所述第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层由质量分数为45?70%的含羧基 的碱可溶性聚合物、质量分数为15?45%的含有至少一个可聚合的不饱和键单体、质量分 数为0.5?10%的光引发剂、质量分数为0.01?5%的添加剂组成。 进一步地，所述含羧基的碱可溶性聚合物由一种或多种含羧基的共聚单元单体， 和一种或多种不含羧基基团的共聚单元单体按照任意配比共聚而得；所述含羧基的共聚单 元单体选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、乙 烯基乙酸及其酸酐等；所述不含羧基基团的共聚单元单体选自（甲基）丙烯酸甲酯、（甲 基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲 基）丙烯酸异丁醋、（甲基）丙烯酸异辛醋、（甲基）丙烯酸月桂醋、（甲基）丙烯酸十八 酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基 丁酯、聚乙二醇单（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇单（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯腈、（甲 基）丙烯酸缩水甘油酯、N，N-二甲基（甲基）丙烯酸乙酯、N，N-二乙基（甲基）丙烯酸乙 酯、N，N-二甲基（甲基）丙烯酸丙酯、N，N-二乙基（甲基）丙烯酸丙酯、N，N-二甲基（甲 基）丙烯酸丁酯、N，N-二乙基（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基-丙烯酰 胺、N- 丁氧基甲基-丙烯酰胺、苯乙烯、（甲基）丙烯酸苄酯、苯氧基乙基（甲基）丙烯酸 酯、（烷氧基化）壬基苯酚（甲基）丙烯酸酯等。 进一步地，所述含羧基的碱可溶性聚合物的重均分子量为10000-200000,进一步 优选 10000-120000。 进一步地，所述含有至少一个可聚合的不饱和键单体，选自三羟甲基丙烷三丙烯 酸酯、（乙氧）丙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯 酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、聚乙二醇 二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、乙氧基化双酚A二丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二丙烯酸 酯、甘油三丙酸酯。 进一步地，所述光引发剂为2, 4, 5-三芳基咪唑二聚体或2, 4, 5-三芳基咪唑二聚 体的衍生物。 进一步地，所述光引发剂由引发剂助剂和2, 4, 5-三芳基咪唑二聚体或2, 4, 5-三 芳基咪唑二聚体的衍生物按照任意比混合而成；所述引发剂助剂由芳香族酮、醌、安息香化 合物、苯偶酰衍生物、叮啶衍生物、N-苯基氨基乙酸衍生物、香豆素系化合物，恶唑系化合物 中的一种或多种按照任意比混合组成。 进一步地，所述添加剂由染料、光成色剂、成色热稳定剂、增塑剂、颜料、填料、消泡 剂、阻燃剂、稳定剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、成像剂、热交联剂中的一种或多 种按照任意配比混合组成。 本专利技术的有益效果在于：本专利技术采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝 光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。【具体实施方式】 本专利技术一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于支撑层上方的第一抗蚀剂 层以及涂覆与第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80? 400mgK0H/g，第二抗蚀剂层的酸值为82?441. 2mgKOH/g，并且，第二抗蚀剂层的酸值比第 一抗蚀剂层酸值高2?41. 2mgKOH/g。 本专利技术采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，使得其在抗蚀剂曝光显影后，形成良 好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。 上述第一抗蚀剂层厚度为5?50微米，第二抗蚀剂层厚度为1-10微米。 上述第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层由含羧基的碱可溶性聚合物（A)、含有至少一 个可聚合的不饱和键单体（B)、光引发剂（C)、添加剂（D)组成。 1.所述含羧基的碱可溶性聚合物（A)的用量占总抗蚀剂重量的45-70% ;第一抗 蚀剂层和第二抗蚀剂层中，由于含羧基的碱可溶性聚合物的用量不同或者含羧基的碱可溶 性聚合物酸值不同，导致两者的酸值不同。两层的酸值高低可通过增加或减少A的用量；或 者在合成A时，增加或减少含羧基单体用量等方法进行控制。含羧基的碱可溶性聚合物由 一种或多种含羧基的共聚单元单体，和一种或多种不含羧基基团的共聚单元单体按照任意 配比共聚而得；其制备方法可用公知的制备方法制备，如溶液聚合、悬浮聚合等。其中，含羧 基的共聚单元单体选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反 丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐等；所述不含羧基基团的共聚单元单体选自（甲基）丙烯酸 甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸 正丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基） 丙烯酸十八酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干膜抗蚀剂层压体，其特征在于，包括支撑层、涂覆于支撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值为82~441.2mgKOH/g，并且，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高2~41.2mgKOH/g。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志强，李伟杰，严晓慧，周光大，林建华，
申请(专利权)人：杭州福斯特光伏材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33