干膜光致抗蚀剂制造技术

本发明专利技术提供干膜光致抗蚀剂，具体而言，本发明专利技术的干膜光致抗蚀剂可在去除基膜的状态下实施曝光工艺，从而防止基膜对曝光效果的不利影响，提高分辨率。另外，即使在存在树脂保护层的状态下进行曝光，也不会因树脂保护层降低透明度和显像速度，从而可实现高分辨率。尤其是，本发明专利技术的树脂保护层可减少多晶硅等润湿剂(wetting?agent)的含量，从而节省成本，降低雾霾(haze)，而且，因适当粘接基膜和树脂保护层，以在去除基膜时不会损伤树脂保护层，从而防止雾霾的降低，不产生显像时间的降低，实现高分辨率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有多层结构的干膜光致抗蚀剂。
技术介绍
干膜光致抗蚀剂(dry film photoresi st)在1958年由美国的杜邦公司以 “RIST0N”的商品名开发出来以来，成为用于现在的电气、电子产业，尤其是印刷电路板等的加工的重要材料。用于形成印刷电路板上的电路的光致抗蚀剂材料，全部的约50%左右使用感光性屏幕的印刷墨水，但在需要高密度和高可靠性的两面板及多层板的印刷电路基板的制作中，必需使用干膜光致抗蚀剂。上述干膜光致抗蚀剂主要由基膜(base film)及感光树脂层(photosensitive layer)的两层结构层压而成，而且还包括保护膜以在使用干膜光致抗蚀剂之前保护感光树月旨层。一般而言，基膜使用聚对苯二甲酸乙等聚酯膜，而其厚度为为25μπι左右。上述基膜在制作干膜光致抗蚀剂的过程中起到保护感光树脂层的作用，为具有粘接力的感官性树脂层的曝光提供便利。感光树脂根据对光的反应机制分为负性和正性，在负性感光树脂的情况下，在曝光的部分产生光交联反应，而未曝光的部位被碱水洗掉，从而剩下抗饰图案；而在正性感光树脂的情况下，在曝光部位产生光分解反应并被碱性曝光，而在未曝光部分形成抗饰图案。感光树脂层包括光聚合性单体、光聚合引发剂、粘合剂多聚物等并根据目的制作而成。上述感光树脂层涂布于基膜上，而在被涂布之后根据使用目的具备15 100 μ m的厚度。上述感光树脂层根据光致抗蚀剂所需的机械、化学性质和加工等条件具有各种成分。另外，保护膜防止光致抗蚀剂的损伤，起到从灰尘等异物保护感光树脂层的保护盖的作用，其层压于未具备感光树脂层的基膜的另一面。利用上述干膜光致抗蚀剂的图案形成方法的一例的过程如下在应用于印刷电路基板上时，首先剥去保护膜并层压(lamination)于覆铜薄层压板(copper clad laminate, CCL)上之后，罩上所需图案的蒙片用紫外线(UV)照射进行曝光(exposing)，接着利用适当的溶剂冲洗未硬化的部分进行显像(developing)。一般来说，利用上述干膜之光抗蚀剂的时候，在进行曝光时在基膜上附着感光树脂层的情况下进行作业，因此，感光树脂层和蒙片隔开基膜厚度的距离，从而给提高分辨率带来限制。另外，在通过照射紫外光进行曝光时，因紫外线透过基膜，从而影响紫外线透射率，而且，因基膜内部粒子的紫外线散射等，给实现高分辨率带来限制。为解决上述问题，可以在剥去基膜之后进行曝光，但因感光树脂层具有粘接性，因此，若剥去基膜，则蒙片将粘接于上述感光树脂层，从而降低分辨率，污染蒙片，缩短蒙片寿命。因此，现实上难以在剥去基膜之后进行曝光，从而仍然无法解决降低分辨率的问题。尤其是，随着印刷电路基板的高密度化及半导体封装技术的发展和电路宽度高密度化的需求，急需开发出可用于微细电路基板的高分辨率的干膜光致抗蚀剂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于可U福现有技术之不足而提供一种干膜光致抗蚀剂，其可在去除基膜的状态下实施曝光工艺，从而提高分辨率，尤其是适当粘接基膜和树脂保护层，以在去除基膜时不会损伤树脂保护层。在本专利技术的一实现例的干膜光致抗蚀剂中，包括层压的基膜、树脂保护层及感光树脂层，且上述树脂保护层为包括水溶性高分子及烷氧基乙醇。在本专利技术的另一实现例的干膜光致抗蚀剂中，还包括层压于基膜上的离型层，上述离型层包括从硅树脂、氟树脂及脂肪族蜡中选择的一种以上，而上述树脂保护层包括重量平均分子量为5000 300000的聚乙烯醇。在本专利技术又一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述树脂保护层包括30000ppm以下的烷氧基乙醇。在本专利技术还一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述烷氧基乙醇具有碳数为1 12的烷氧基及碳数为1 12的乙醇。在本专利技术再一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述烷氧基乙醇为丁氧基乙醇。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，将上述水溶性高分子溶解于包括水及烷氧基乙醇的溶剂之后，将其涂布于基膜上形成树脂保护层。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述溶剂是相对于100重量份的水包括1 43重量份的烷氧基乙醇。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述基膜及树脂保护层之间的粘接力为 0. 0005 0. 01N/cm。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，在上述树脂保护层中包含多晶硅时，相对于100重量份的水溶性高分子包括0. 01 3重量份的多晶硅。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述多晶硅在从水、乙醇类及它们的混合物中选择的一种溶剂IOOg中，在80°C的条件下6小时内溶解0. Ig的多晶硅时，其粒度为Iym以下。在本专利技术另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述树脂保护层的雾霾为3. 0%以下。在本专利技术另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述树脂保护层的每Iym的显像时间为10秒以下。在本专利技术的另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述离型层及树脂保护层之间的粘接力为 0. 0005 0. 01N/cm。在本专利技术另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述树脂保护层的厚度为ΙΟμπι以下。在本专利技术另一实施例的干膜光致抗蚀剂中，上述聚乙烯醇的皂化度为75 97%。本专利技术的干膜光致抗蚀剂可在去除基膜的状态下实施曝光工艺，防止基膜对曝光效果的不利影响，从而可提高分辨率。尤其是，本专利技术的树脂保护层可减少多晶硅等润湿剂(wetting agent)的含量，从而节省成本，降低雾霾(haze)，而且，因适当粘接基膜和树脂保护层，以在去除基膜时不会损伤树脂保护层，从而防止雾霾的降低，不产生显像时间的降低，实现高分辨率。附图说明图1为放大1200倍拍摄的根据本专利技术的实施例1制造而成且经显像工艺后的印刷电路板表面电子显微镜照片；图2为放大1200倍拍摄的根据本专利技术的实施例5制造而成且经显像工艺后的印刷电路板表面电子显微镜照片；图3为放大1200倍拍摄的根据比较例1制造而成且经显像工艺后的印刷电路板表面电子显微镜照片。具体实施例方式根据本专利技术的实现例，提供一种包括层压的基膜、树脂保护层及感光树脂层，且上述树脂保护层为包括水溶性高分子及烷氧基乙醇的干膜光致抗蚀剂。本专利技术的干膜光致抗蚀剂具有依次层压基膜、离型层、树脂保护层及感光树脂层的结构。上述基膜起到树脂保护层和感光树脂层的支撑体的作用，从而需具备足够的机械特性。具体而言，基膜可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜及聚萘二甲酸乙二醇酯膜等聚酯类膜；聚乙烯膜及聚丙烯膜等聚烯烃类膜；聚氯乙烯和乙酸乙烯酯的共聚物膜、聚四氟乙烯膜及聚三氟乙烯膜等乙烯聚合物类膜；聚酰亚胺类膜；6，6_尼龙等聚酰亚胺类膜；三乙酸纤维素膜及二乙酸纤维素膜等聚醋酸酯类膜；烷基聚丙烯酸甲酯膜等聚丙烯酸酯类膜；丙烯酸甲酯共聚物膜等聚丙烯酸类膜等；而考虑到机械特性及经济性等，较佳地，选用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。上述基膜的厚度可在10 ΙΟΟμπι的范围之内，根据任意目的进行选择。上述树脂保护层包括水溶性高分子及烷氧基乙醇。具体而言，因树脂保护层包含水溶性高分子，因此，用以溶解水溶性高分子的溶剂可使用水，但因上述烷氧基乙醇的表面张力大于水，因此，在向基膜涂布用以形成树脂保护层的涂步液，即包含水溶性高分子及烷氧基乙醇的涂布液时，提高润湿性(wetting)以有利于涂膜的形成。另外，为了提高上述润湿性，可在树脂保护层中添本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：文熙岏，奉东勋，石想勋，
申请(专利权)人：可隆工业株式会社，
类型：发明
国别省市：