半导体器件制造技术

本发明专利技术提供低成本的半导体器件，使用该半导体器件可容易地选择适合系统的IGBT柔性断路特性。驱动IC（100）包括输出级电路（1）、断路电路（2）、逻辑电路（3）、以及警报信号处理电路（4），断路电路（2）包括电阻器电路（5）和n-MOSFET（8），且电阻器电路（5）由n-MOSFET（9）、电阻器（10）、和开关导体（11）形成。通过将电阻器电路（5）的开关导体（11）在A、B和C状态之间切换，可容易地选择适合系统的IGBT（61）的断路特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西尾实，大江崇智，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
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