半导体结构的制造方法技术

半导体结构的制造方法包括以下步骤。首先，提供承载层，其中承载层具有开孔。然后，设置半导体结构于承载层上，其中半导体结构包括电性接点，电性接点容置于开孔内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种应用承载层的。
技术介绍
传统上，晶圆或芯片利用胶材来进行工艺站点的传送，以避免晶圆或芯片在传送过程中破裂。一般的做法中，会在载板上涂布一层胶材，然后再将晶圆或芯片黏在胶材上。待工艺完成后再将胶材与晶圆泡在溶液中，以分离胶材与晶圆。然而，由于浸泡时间甚久，使得工艺耗费时间无法有效降低。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，一实施例中，可省略胶材的使用，因此也不需耗时地以浸泡溶液分离胶材与晶圆。根据本专利技术的一实施例，提出一种。制造方法包括以下步骤。提供一承载层，其中承载层具有一开孔；以及，设置一半导体结构于承载层上，其中半导体结构包括一电性接点，电性接点容置于开孔内。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下附图说明图IA至IC绘示依照本专利技术一实施例的半导体结构的制造过程图。图2绘示图IA的承载层的俯视图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的承载层的俯视图。图4绘示依照本专利技术另一实施例的承载层的俯视图。图5绘示依照本专利技术另一实施例的承载层的剖视图。图6绘示依照本专利技术另一实施例的承载层的俯视图。图7A至7C绘示依照本专利技术另一实施例的半导体结构的制造过程图。图8A绘示依照本专利技术另一实施例的承载层的俯视图。图8B绘示图8A中沿方向8A-8A’的剖视图。主要元件符号说明110、210、310 :承载层111、111'、111"、1231 :开孔IlOsl :第一面 110s2:第二面112:底部120 :半导体结构121、125、131 :电性接点121':卡合接点122 :主动线路层1221 :接垫123 :保护层 IM :硅穿孔130 :芯片212、312 :第一通道2121 :第一部分2122 :第二部分213:隔离岛241 :第二通道215 :连接部214 :环绕部240 :载具3121 :子通道A1、A2:区域Dl:内径D2 :外径H1、H3:厚度H2 :高度W1、W2:间距具体实施例方式请参照图IA至1C，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体结构的制造过程图。如图IA所示，提供一承载层110，其中承载层110具有至少一开孔111及相对的第一面IlOsl与第二面110s2。开孔111从第一面IlOsl延伸至第二面110s2，即开孔111贯孔。承载层110的材质较佳但非限定地包含耐热材料，例如是聚亚酰胺(poly-imide，PI)、苯环丁烯(benzo-cyclo-butene, BCB)、氮化娃(SiN)、耐热型娃胶、金属及其组合所构成的群组。就性质来说，承载层110可以是具备硬性、软性、可挠性及/或弹性的材质。另一实施例中，承载层110的材质可同于保护层123(图1B)的材质。此外，一耐热胶(未绘示)亦可涂布于承载层110上，并进行烘干后，采用例如是微影工艺形成开孔111。此外，承载层110是否具有黏性可视工艺需求而定，本专利技术实施例不加以限制。如图IB所示，使用例如是高精度接合机，设置至少一半导体结构120于承载层110的第一面IlOsl上，其中半导体结构120例如是未切割的晶圆或已切割的芯片，其包括至少一电性接点121，例如是焊球、凸块或导电柱。上述承载层110的厚度Hl约介于电性接点121高度H2的I. I至I. 5倍之间，使电性接点121不会突出超过承载层110的第二面110s2。开孔111的内径Dl略大于或大于电性接点121的外径，使电性接点121容易进入开孔111内，一实施例中，开孔111的内径Dl约介于电性接点121的外径D2的I. 05至I. 5倍。另一实施例中，开孔111的内径Dl亦可小于或实质上等于电性接点121的外径，经由承载层110的性质(如软性、弹性或可挠性)，仍可使半导体结构120的电性接点121容易地进出于开孔111。此外，此些开孔111的内径可完全相同或不完全相同。电性接点121容置于开孔111内，开孔111可限制电性接点121的移动范围，避免半导体结构120轻易地与承载层110脱离，以便于后续工艺的执行。此外，经由承载层110的开孔111的设计，可使半导体结构120快速地设于承载层110上。另一实施例中，半导体结构120更包括至少一卡合接点121’，其外径大于或略大于对应的开孔111的内径，以卡合于开孔111内，使半导体结构120更稳固地设于承载层 110中。此外，至少一卡合接点121’可以是假(dummy)接点，其可不具电性作用，因此，即使卡合接点121’在半导体结构120与承载层110分离后自半导体结构120脱落或保留于承载层110上，亦不影响半导体结构120的功能。另一实施例中，至少一^^合接点121’亦可为电性接点。卡合接点121’可邻近半导体结构120的边缘、中间、或其它合适位置配置。本实施例中，开孔111及电性接点121的数量多个，其中，单个电性接点121容置于单个开孔111内。另一实施例中，多个电性接点121容置于单个开孔111内。又一实施例中，开孔111的数量单个，全部的电性接点121容置于此单个开孔111内。总合来说，本专利技术实施例并不限定开孔111及电性接点121的数量，且不限定开孔111容纳电性接点121的数量。此外，一或多个开孔111亦可不容纳任何电性接点121。图IB中，半导体结构120更包括主动线路层122、保护层123、硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV) 124及电性接点125，其中，主动线路层122包括至少一接垫1221。保护层123覆盖主动线路层122，并具有至少一开孔1231，使接垫1221可形成于开孔1231内。电性接点125例如是导电柱、凸块或焊球，其形成于电性接点125上，且电性连接于主动线路层122，并透过主动线路层122及硅穿孔124电性连接于电性接点121。接下来的步骤可视工艺需求而定，例如，可切割半导体结构成至少一芯片，或堆迭至少一半导体元件于半导体结构120上，此至少一半导体元件例如是芯片、被动元件及/或封装件，以下以堆迭芯片为例说明。如图IC所示，设置芯片130于半导体结构120上，其中芯片130包括至少一电性接点131，例如是导电柱、凸块或焊球。芯片130以电性接点131连接于半导体结构120的电性接点125，以电性连接半导体结构120。然后，可进行回焊工艺，以焊合半导体结构120的电性接点125与芯片130的电性接点131。虽然图未绘示，然一焊料(solder)可设于电性接点125与电性接点131之间，以帮助焊合电性接点125与电性接点131。由于半导体结构120的电性接点121设于承载层110的开孔111内，使半导体结构120不易与承载层110脱离(至少不易沿侧向与承载层110脱离)，故在进行回焊工艺的过程中，使电性接点125与电性接点131的焊合顺利完成。相较于传统涂布胶材来黏合晶圆或芯片的技术，本实施例可省略胶材的使用，因此也不需耗时地以浸泡溶液方式分离胶材与晶圆。然后，分离半导体结构120与承载层110。经由承载层110的开孔111的设计，可使半导体结构120省时、省立且快速地与承载层110分离。以下进一步说明本实施例的开孔111的分布设计。请参照图2，其绘示图IA的承载层的俯视图。相邻二开孔111的间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉临，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：