背面金属工艺中断后晶片的返工方法技术

本发明专利技术涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空，取出晶片；重返高真空腔室对晶片进行烘烤；继续当前金属层的背面金属工艺。本发明专利技术在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的制作流程中，通常要在晶片背面金属化，晶片背面金属化又称背面金属工艺，其主要目的是降低接触电阻。晶片背面的金属通常采用蒸发台进行蒸发或采用溅射台进行溅射形成，在高真空工艺条件下完成晶片背面沉积Ti，Ni, Ag，Au等金属。在晶片的背面金属工艺中，当晶片表面已发生金属沉积，背面金属工艺过程中断， 此时，工艺中断后的晶片需要进行剩余金属层的补长。补长过程可分为两种一种为工艺机台保持真空状态继续工艺，另一种为必须破真空进行设备维修再重新回到高真空状态机台继续工艺。对于第一种情况，一般不会发生金属层的剥落。对于第二种情况不做任何处理进行继续工艺时容易发生金属层剥落。如何对所述第二种情况的背面金属工艺中断后的晶片进行返工处理，使得返工后的晶片背面金属层不发生剥落，保证晶片的良率和可靠性，是业内的一个难题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，以防止因破真空而导致晶片背面金属层之间的剥落。本专利技术的技术解决方案是一种，包括以下步骤当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温；腔室破真空，取出所述晶片；所述晶片重返高真空腔室进行烘烤；所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺。作为优选在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度小于当前金属层所需厚度时，对所述晶片表面沉积第二厚度的当前金属层，所述第二厚度为所需厚度与第一厚度的差值。作为优选当所述差值小于100埃时，所述第二厚度为100埃。作为优选在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度与晶片表面当前金属层所需厚度相同时，对所述晶片表面沉积第三厚度的当前金属层，接着沉积下层金属层。作为优选所述第三厚度为100埃-500埃。作为优选所述腔室高真空的气压小于9E-7torr。作为优选在所述晶片重返高真空腔室进行烘烤的步骤中，所述烘烤的温度大于100°C，烘烤的时间大于3分钟。作为优选对所述晶片进行降温的步骤中，所述晶片降温后的温度小于60°C。与现有技术相比，本专利技术在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。附图说明图1是本专利技术的流程图。 具体实施例方式本专利技术下面将结合附图作进一步详述在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。其次，本专利技术利用示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。图1示出了本专利技术的流程图，该方法主要应用于由腔室故障导致背面金属工艺中断，并需要通过破真空进行设备维修再恢复中断的背面金属工艺的情况。请参阅图1所示，在本实施例中，在步骤101中，当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温，因为晶片在金属层的沉积过程中，温度较高，在背面金属工艺前进行烘烤的温度更高，所以需要对晶片进行降温， 以防止晶片出腔室后在大气中由于过高温度导致自然氧化层生长过快，所述晶片降温后的温度小于60°C，以降到常温为最佳，所述腔室的气压小于9E-7torr ；在步骤102中，腔室破真空，取出所述晶片，进行设备维修，取出的所述晶片裸露在大气中，为了晶片不被氧化，所述晶片最好在1小时内重新返回到高真空腔室内，取出后的所述晶片也可以放在惰性气体中，以防止氧化；在步骤103中，设备维修完毕后，晶片重返高真空腔室进行烘烤，所述烘烤的温度大于100°C，烘烤的时间大于3分钟，所述腔室的气压小于9E_7t0rr，所述烘烤的作用是去除晶片表面可能黏附的水汽和其他可挥发的化学物质；在步骤104中，所述晶片继续当前背面金属工艺，当步骤101测得的第一厚度小于当前金属层所需厚度时，对晶片表面沉积第二厚度的当前金属层，所述第二厚度为当前金属层所需厚度与第一厚度的差值，当所述差值小于100埃时，所述第二厚度为100埃，因为第二厚度太薄时，第二厚度的当前金属层与第一厚度的当前金属层衔接性不好，从而造成下层金属层与当前金属层黏附力不好，易造成金属层间剥落；当步骤101测得的第一厚度与晶片表面当前金属层所需厚度相同时，对所述晶片表面沉积第三厚度的当前金属层，接着沉积下层金属层，由于第一厚度的当前金属层在腔室破真空取出后不可避免会有些自然氧化，沉积所述第三厚度的当前金属层很好的衔接所述第一厚度的当前金属层，从而增强当前金属层与下层金属层之间的黏附力，避免金属层间剥落，所述晶片表面当前金属层的第三厚度以不同产品对于背面金属膜厚的工艺容忍度作为参考，在晶片背面金属膜厚实际值偏离目标值的情况下电性能，稳定性等性能仍然可以被接受，这个允许偏离的范围即为晶片背面金属膜厚的工艺容忍度，所述晶片表面当前金属层的第三厚度为100埃-500埃。本专利技术在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术权利要求的涵盖范围。权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温；腔室破真空，取出所述晶片；所述晶片重返高真空腔室进行烘烤；所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺。2.根据权利要求1所述的，其特征在于在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度小于当前金属层所需厚度时，对晶片表面沉积第二厚度的当前金属层，所述第二厚度为所需厚度与第一厚度的差值。3.根据权利要求2所述的，其特征在于当所述差值小于100埃时，第二厚度为100埃。4.根据权利要求1所述的，其特征在于在所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺的步骤中，当所述晶片表面当前金属层的第一厚度与晶片表面当前金属层所需厚度相同时，对晶片表面沉积第三厚度的当前金属层，接着沉积下层金属层。5.根据权利要求4所述的，其特征在于所述第三厚度为100埃-500埃。6.根据权利要求1所述的，其特征在于所述腔室高真空的气压小于9E-7torr。7.根据权利要求1所述的，其特征在于在所述晶片重返高真空腔室进行烘烤的步骤中，所述烘烤的温度大于100°c，烘烤的时间大于3分钟。8.根据权利要求1所述的，其特征在于对所述晶片进行降温的步骤中，所述晶片降温后的温度小于60°C。全文摘要本专利技术涉及一种，包括以下步骤当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜剑光，徐雷军，刘峰松，厉冰峰，陈怡骏，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：