半导体器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有浅沟槽隔离结构；执行前非晶化离子注入工艺；执行氧离子处理工艺；湿法清洗所述半导体衬底；在所述栅极、源极和漏极表面形成自对准硅化物。该氧离子处理工艺可修复由前非晶化离子注入工艺导致的浅沟槽隔离结构的损伤，使得在进行湿法清洗步骤时，该浅沟槽隔离结构的边缘不会被损失掉，能够避免漏电流的增加，提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用。自对准硅化物 (Salicide)工艺已经成为近期在超高速CMOS逻辑大规模集成电路中形成金属硅化物的关键制造工艺之一，它给高性能逻辑器件的制造提供了诸多好处。该工艺同时减小了源/漏极和栅极的薄膜电阻，降低了接触电阻，并缩短了与栅极相关的RC延迟。在自对准技术中， 在栅极、源极和漏极上形成金属，金属与半导体例如硅的反应生成物即金属硅化物。但是， 传统的金属硅化物形成方法有一些缺点，例如在形成高性能PMOS装置时，源极和漏极通常由硅锗构成，由于硅锗金属化合物的形成不均勻，经常出现锗聚集(aggregation)现象，形成于硅化物上的硅化物区通常比较粗糙并且，使金属与硅发生反应的快速热退火的工艺过高。为此，业界通常在栅极、源极和漏极表面形成自对准硅化物步骤之前，增加前非晶化注入(Pre-amorphization implantation, PAI)工艺。具体请参考图IA至图1C，其为现有的的各步骤相应结构的剖面示意图。参照图1A，首先，提供半导体衬底100，所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟中，叶彬，马桂英，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：