等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法制造方法及图纸

在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在形成薄膜等时使用的等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)装置、等离子体电极以及使用了该装置的半导体膜的制造方法。
技术介绍
等离子体CVD装置被广泛用作为用于在基板上形成非晶硅薄膜、微晶硅薄膜等薄膜的装置。目前，还开发出如下等离子体CVD装置能够高速且临时形成例如薄膜硅太阳能电池的发电层中使用的硅薄膜那样的大面积的薄膜。例如，在专利文献1中，记载了如下等离子体CVD装置通过对等离子体电极(对置电极)设置气体吹出面板来能够高速地形成大面积的薄膜，其中，在上述气体吹出面板中形成有用于吹出反应气体的多个气体吹出孔和用于促进产生等离子体的多个等离子体促进孔。在该等离子体CVD装置中，在气体吹出面板中的与基板对置的面，不贯通该气体吹出面板而形成上述多个等离子体促进孔。另外，作为能够比利用专利文献1记载的等离子体CVD装置的成膜更高速地临时形成大面积的薄膜的方法，已知所谓“高压枯竭法”。该高压枯竭法是等离子体CVD法之一， 通过使载置被成膜基板的平台部与等离子体电极的间隔缩窄至IOmm左右的等离子体CVD 装置，将成膜室(真空容器)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：滝正和，津田睦，新谷贤治，今村谦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：