等离子体成膜装置以及等离子体成膜方法制造方法及图纸

一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极，使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜，其中，高频电极具有：第1高频电极（101），与被成膜物（100）的第1被成膜面（113）相向；以及第2高频电极（102），与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面（114）相向，第1高频电极、第2高频电极以及接地电极（103）使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及用于使用等离子体而使薄膜形成于基板的等离子体成膜装置的技术。
技术介绍
近年来，在半导体装置的制造中，例如广泛实施利用等离子体CVD (chemical vapor deposition,化学气相淀积)的手法进行的薄膜形成。等离子体CVD具有不需要复杂的构造的装置并能够在比较低的温度下实现成膜的优点。另外，等离子体CVD相比于真空蒸镀、派射等PVD (physical vapor deposition,物理气相沉积),覆盖性更良好、能够按照被成膜物的配置顺序而一次处理许多被成膜物等，所以用于各种用途。此处，说明当前成为主流的等离子体CVD的过程的一个例子。被成膜物载置于通过真空泵来排气的腔内部的接地电极上。向腔内导入反应气体。通过从与被成膜物相向的位置的电极施加高频电力，对反应气体进行激励。通过被激励的反应气体与被成膜物的化学反应，进行向被成膜物的成膜。根据该方法，能够使成膜装置成为比较简易的结构。另外， 通过使设备大型化，能够实现许多被成膜物的成膜处理。而且，无需固定被成膜物，所以还能够实现向被成膜物的整个上表面的成膜。但是，在该方法的情况下，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极，使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜，所述等离子体成膜装置的特征在于，所述高频电极具有：第1高频电极，与所述被成膜物的第1被成膜面相向；以及第2高频电极，与所述被成膜物中的和所述第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向，所述第1高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第1被成膜面的成膜的所述第1高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极，使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜，所述等离子体成膜装置的特征在于，所述闻频电极具有:第I高频电极，与所述被成膜物的第I被成膜面相向；以及第2高频电极，与所述被成膜物中的和所述第I被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向，所述第I高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第I被成膜面的成膜的所述第I高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。2.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，具有位置调整机构，该位置调整机构针对与所述第I高频电极所具备的第I电极面以及所述第2高频电极所具备的第2电极面垂直的方向，能够调整保持所述被成膜物的位置。3.根据权利要求1或者2所述的等离子体成膜装置，其特征在于，具有:第I高频电源，向所述第I高频电极供给高频电力；以及第2高频电源，向所述第2高频电极供给高频电力，所述第I高频电源以及所述第2高频电源能够供给相互不同的电平的高频电力。4.根据权利要求1至3中的任意一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：浜笃郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：