一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极，使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜，其中，高频电极具有：第1高频电极（101），与被成膜物（100）的第1被成膜面（113）相向；以及第2高频电极（102），与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面（114）相向，第1高频电极、第2高频电极以及接地电极（103）使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及用于使用等离子体而使薄膜形成于基板的等离子体成膜装置的技术。
技术介绍
近年来，在半导体装置的制造中，例如广泛实施利用等离子体CVD (chemical vapor deposition,化学气相淀积)的手法进行的薄膜形成。等离子体CVD具有不需要复杂的构造的装置并能够在比较低的温度下实现成膜的优点。另外，等离子体CVD相比于真空蒸镀、派射等PVD (physical vapor deposition,物理气相沉积),覆盖性更良好、能够按照被成膜物的配置顺序而一次处理许多被成膜物等，所以用于各种用途。此处，说明当前成为主流的等离子体CVD的过程的一个例子。被成膜物载置于通过真空泵来排气的腔内部的接地电极上。向腔内导入反应气体。通过从与被成膜物相向的位置的电极施加高频电力，对反应气体进行激励。通过被激励的反应气体与被成膜物的化学反应，进行向被成膜物的成膜。根据该方法，能够使成膜装置成为比较简易的结构。另外， 通过使设备大型化，能够实现许多被成膜物的成膜处理。而且，无需固定被成膜物，所以还能够实现向被成膜物的整个上表面的成膜。但是，在该方法的情况下，为了处理许多被成膜物，无法避免设备的大型化。另外， 通过采用使成膜从上方朝向下方的所谓沉积下降(deposition down)方式,在腔内发生的微粒容易堆积到被成膜物上，易于引起由于微粒成为掩模而导致的成膜阻碍。为了避免这个问题，近年来，将高频电极以及接地电极进行纵向配置的结构开始得到普及。在该构造中，能够在有限的设备内载置大量的被成膜物，能够使设备小型化。另外，在该构造中，通过抑制微粒向被成膜面落下，从而能够实现维护的简便化、设备的工作效率提高。在利用等离子体CVD进行的成膜中，作为对膜质造成影响的因素，可以举出等离子体输出、高频电极至被成膜面的距离、腔内部的压力、反应气体的流量等。其中，作为在一个腔内使多个条件能够成立的因素，符合的是等离子体输出、高频电极至被成膜面的距离。关于当前积极地进行开发的太阳能电池单元，通过在基板两面形成薄膜，从而期待大幅提高特性。以往广泛普及的CVD装置都是使被成膜物的单面成为被成膜面的装置， 所以关于包括两面成膜的设备，通过逐个单面进行成膜从而制造工序增加，工艺变得复杂化。而且，在基板两面形成膜厚相互不同的薄膜的情况下，在用于表面的成膜的设备和用于背面的成膜的设备中还无法实现制造条件的共用化。专利文献1:日本特开平10-319207号公报
技术实现思路
在当前普及的设备结 构中，针对一个成膜工序，需要一个设备。因此，为了向基板两面进行成膜而使工艺增加，这直接关系到制造工序增加，导致生产性变差。本专利技术是鉴于上述而完成的，其目的在于，得到能够高效地实施向基板两面的成膜的。为了解决上述课题并达成目的，本专利技术的等离子体成膜装置具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极，使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜，所述等离子体成膜装置的特征在于，所述高频电极具有:第I高频电极，与所述被成膜物的第I被成膜面相向；以及第2高频电极，与所述被成膜物中的和所述第I被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向，所述第I高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第I被成膜面的成膜的所述第I高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。本专利技术的等离子体成膜装置能够通过一个成膜工序，对被成膜物的第I被成膜面和第2被成膜面同时进行成膜。相比于逐个单面地实施被成膜物的成膜的情况，等离子体成膜装置能够更高效地实施向基板两面的成膜。而且，通过应用该等离子体成膜装置，从而对于要求两面成膜的设备，能够减少制造工序，实现工艺的简化。【附图说明】图1是示出本专利技术的实施方式I的等离子体成膜装置的概要结构的剖面图。图2是说明由位置调整机构实施的被成膜物的位置调整的图。图3是说明由位置调整机构实施的被成膜物的位置调整的图。图4是示出接地电极的结构例的俯视图。图5是示出本专利技术的实施方式2的等离子体成膜装置的概要结构的剖面图。(符号说明)100:被成膜物；101:第I高频电极；102:第2高频电极；103:接地电极；104:腔； 105:真空泵；106:高频电源；107:气体供给口 ；108:排气口 ;111:第I电极面；112:第2电极面；113:第I被成膜面；114:第2被成膜面；115:开口；116:位置调整机构；117:沉孔部 (countersunk portion) ；201:第 I 高频电源；202:第 2 高频电源。【具体实施方式】以下，根据附图，详细说明本专利技术的的实施方式。另外，本专利技术不限于该实施方式。实施方式1.图1是示出本专利技术的实施方式I的等离子体成膜装置的概要结构的剖面图。等离子体成膜装置具有第I高频电极101、第2高频电极102、接地电极103、腔104、真空泵105、 高频电源106以及位置调整机构116。腔104具备气体供给口 107以及排气口 108。排气口 108与具备真空泵105的排气路径连接。真空泵105从腔104内向排气路径进行排气。关于腔104内，通过真空泵105 来控制真空度。气体供给口 107与具备气体供给源(图示省略)的气体供给路径连接。气体供给源向腔104内供给成膜气体。第1高频电极101、第2高频电极102以及接地电极103设置于腔104内部。第I 高频电极101所具备的第1电极面111、和第2高频电极102所具备的第2电极面112相互平行。另外，以使第I电极面111以及第2电极面112形成规定的间隔的方式，配置了第I 高频电极101以及第2高频电极102。高频电源106对第I高频电极101以及第2高频电极102供给同等的高频电力。接地电极103配置于第I高频电极101以及第2高频电极102之间。在接地电极 103上，载置被成膜物100。被成膜物100例如为半导体基板。使第I被成膜面113与第I 电极面111相向地将被成膜物100配置到接地电极103上。在接地电极103中，设置有开口 115。跨越开口 115而载置了被成膜物100。关于被成膜物100中的与第I被成膜面113相反一侧的第2被成膜面114，开口 115内的部分与第2电极面112相向。被成膜物100在第2被成膜面114中的开口 115以外的部分中与接地电极103接触。等离子体成膜装置使用在等离子体发生工序中在第I高频电极101以及接地电极 103之间发生的等离子体，对被成膜物100的第I被成膜面113进行成膜。另外，等离子体成膜装置使用在等离子体发生工序中在第2高频电极102以及接地电极103之间发生的等离子体，对被成膜物100的第2被成膜面114进行成膜。第I高频电极101、第2高频电极102以及接地电极103使第I高频电极101与接地电极103之间的等离子体、以及第2高频电极102与接地电极103之间的等离子体同时发生。由此，等离子体成膜装置同时进行第I被成膜面113的成膜和第2被成膜面114的成膜。位置调整机构116在位置调整工序中，使接地电极103向作为与第I电极面111 以及第2电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极，使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜，所述等离子体成膜装置的特征在于，所述高频电极具有：第1高频电极，与所述被成膜物的第1被成膜面相向；以及第2高频电极，与所述被成膜物中的和所述第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向，所述第1高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第1被成膜面的成膜的所述第1高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与所述被成膜物连接的接地电极，使用在所述高频电极与所述接地电极之间发生的等离子体对所述被成膜物进行成膜，所述等离子体成膜装置的特征在于，所述闻频电极具有:第I高频电极，与所述被成膜物的第I被成膜面相向；以及第2高频电极，与所述被成膜物中的和所述第I被成膜面相反一侧的第2被成膜面相向，所述第I高频电极、所述第2高频电极以及所述接地电极使得用于所述第I被成膜面的成膜的所述第I高频电极以及所述接地电极之间的等离子体、和用于所述第2被成膜面的成膜的所述第2高频电极以及所述接地电极之间的等离子体同时发生。2.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，具有位置调整机构，该位置调整机构针对与所述第I高频电极所具备的第I电极面以及所述第2高频电极所具备的第2电极面垂直的方向，能够调整保持所述被成膜物的位置。3.根据权利要求1或者2所述的等离子体成膜装置，其特征在于，具有:第I高频电源，向所述第I高频电极供给高频电力；以及第2高频电源，向所述第2高频电极供给高频电力，所述第I高频电源以及所述第2高频电源能够供给相互不同的电平的高频电力。4.根据权利要求1至3中的任意一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：浜笃郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：
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