等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:8761484 阅读:200 留言:0更新日期:2013-06-06 23:10
一种等离子体处理装置,包括处理腔,所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁,所述处理腔的腔壁上设置有进气装置,所述侧壁上形成有排气口,所述处理腔内包括一工艺区域,所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置,所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置;所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域;所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。本发明专利技术等离子体处理装置可以提高气体分布的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种等离子体处理装置,包括处理腔,所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁,所述处理腔的腔壁上设置有进气装置,所述侧壁上形成有排气口,所述处理腔内包括一工艺区域,所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置,其特征在于,所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置;所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域;所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄允文陈金元刘传生杨飞云
申请(专利权)人:理想能源设备上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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