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本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有浅沟槽隔离结构；执行前非晶化离子注入工艺；执行氧离子处理工艺；湿法清洗所述半导体衬底；...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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