存储器单元及形成存储器单元的方法技术

一些实施例包括含有浮动主体及二极管的存储器单元。所述二极管可为具有掺杂为与所述浮动主体相同的导电性类型的区段的选通二极管，且所述选通二极管的此些区段可电连接到所述浮动主体。所述浮动主体可邻近沟道区域，且通过电介质结构与所述沟道区域间隔开。存储器单元的所述电介质结构可具有位于所述浮动主体与所述二极管之间的第一部分，且可具有位于所述浮动主体与所述沟道区域之间的第二部分。所述第一部分可比所述第二部分更能泄漏电荷载子。所述二极管可形成于不同于所述沟道区域位于其中的半导体材料的半导体材料中。所述浮动主体可具有球茎状下部区域。一些实施例包括制作存储器单元的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)通常用作计算机系统的快速存取存储器。DRAM传统上已利用含有电容器结合晶体管的单位单元。在此些传统设计中，所述电容器的电荷状态用来存储并感测存储器位。组件的更高性能、更低成本、增加的小型化及集成电路的更大封装密度为计算机行业的正在追求的目标。为追求小型化，已不断地重新设计传统DRAM存储器单元的电容器 /晶体管组合以实现越来越高的集成度。然而，减小DRAM电容器的尺寸同时仍维持足够的电容以可靠地存储存储器位正变得越来越困难。减小DRAM电容器的尺寸的困难已导致对所谓的无电容器存储器装置的开发。此些存储器装置将电荷存储于除电容器之外的组件上。举例来说，无电容器存储器装置可使用浮动主体来存储存储器位(其中术语“浮动”指示所述主体不与电位源直接欧姆连接，或者，换句话说，所述主体由电绝缘材料围绕)。尽管无电容器存储器装置展示有希望最终取代传统DRAM存储器单元，但目前存在众多在尝试利用无电容器存储器装置时所遇到的困难。所述困难中的一者在于无电容器存储器装置泄漏性往往比传统电容器/晶体管存储器单元高得多，此意味着需要以比传统存储器单元更高的速率再本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱德拉·穆利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：