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一些实施例包括含有浮动主体及二极管的存储器单元。所述二极管可为具有掺杂为与所述浮动主体相同的导电性类型的区段的选通二极管，且所述选通二极管的此些区段可电连接到所述浮动主体。所述浮动主体可邻近沟道区域，且通过电介质结构与所述沟道区域间隔开。存...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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