湿法刻蚀清洗设备制造技术

技术编号:7319026 阅读:225 留言:0更新日期:2012-05-04 14:29
本发明专利技术提供了一种湿法刻蚀清洗设备。根据本发明专利技术的湿法刻蚀清洗设备包括去离子水管和用于布置晶片的水槽,每个去离子水管上均布置了多个排水孔,其中所述去离子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片喷射去离子水。每个去离子水管上布置了3排水孔,其中第一排孔用于向晶片中心方向出水,第二排孔用于向水槽侧壁方向出水,第三排孔用于向水槽底部方向出水。本发明专利技术通过优化水槽里的去离子水管、去离子水管上的排水孔的尺寸、以及去离子水管上的排水孔的排列方式中的至少一个,可以使去离子水管上每个排水孔喷出去离子水流量均匀一致,从而使每片晶片上获得均匀的去离子水流量和好的刻蚀速率片间均匀性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张凌越王强郭国超杨勇张瑞朋
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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