非导电性载体形成电路结构的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其步骤包含提供非导电性载体后，将催化剂分散于非导电性载体上或其内；形成一预定线路结构于非导电性载体上，并使催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；及金属化具有催化剂的预定线路结构的表面，以形成一导电线路。本发明专利技术的电路的制造方法中，可选择性地移除残留的薄膜，故可回收薄膜内的催化剂再利用，进而降低电路制程成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种制造方法，特别是涉及一种。
技术介绍
基于大众对于3C产品的便利性及可携带性的讲究，驱使电子产品朝向微小化、轻量化及多功能化的趋势发展。因而使得电路设计与制作方式亦迈向质量轻、体积小及厚度薄的方向发展。目前已知用在制作电路的方法中普遍可分为电镀及化学镀两种。其中，相较于电镀，化学镀又称为无电镀(Electroless plating)或自身催化电镀(autocatalytic plating)，其是指水溶液中的金属离子在被控制的环境下，予以化学还原，而不需电力镀在基材上。化学镀的优点包含镀层均勻、镀层孔率少、可形成多元合金等特点。因此，在金属层厚度均勻度要求较高的电子产品，如手机、笔记型计算机等的电路组件的电路形成方式大多都采用化学镀来制作电路组件。目前，在模塑互连组件(Moulded Interconnect Device，MID)的制造程序中，一熟知技术为将金属氧化物分散在非导电性载体内，且射出成型一基座。接续以激光照射基座的任一表面使其形成一预设电路图样，其于激光烧蚀基座表面同时裸露及活化所述表面的金属氧化物使其释放金属核(metal nuclei) 0在制造过程中，为均勻分散金属氧化物至非导电性载体内，故需提供一定比例量的金属氧化物。然而，所述金属氧化物所释放的金属核仅为提供预设电路图样部表面金属化还原反应的用途，因此无受到激光活化的金属氧化物会导致成本的浪费，亦无回收再利用的可能性。此外，其它熟知技术可能会因为部分催化剂裸露在非预定线路的表面上，而使得后续金属化时，在非预定线路的表面上亦镀覆金属，因而造成成品不良率增加。再者，美国专利第7060421号所揭示的制造导体轨道结构(conductor track structure)方法中，其因所使用的激光功率须达到金属氧化物释放金属核的能量，故而缩短激光源的寿命。而美国专利第5945213号及第5076841号则具有于3D曲面形成微线路须配合3D遮罩(mask)，故其成本较高的问题。
技术实现思路
有鉴于上述已知技艺的问题，本专利技术的目的就是在于提供一种，除了可达到制造程序简易、降低成本及成品不良率的功效，亦有实施方式灵活的优点。根据本专利技术的目的，提出以下的技术方案一种，其包含下列步骤提供一非导电性载体；分散一催化剂于所述非导电性载体上或所述非导电性载体内；形成一预定线路结构于所述非导电性载体上，并使所述催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；以及金属化所述预定线路结构，以形成一导电线路。利用一喷砂加工、一激光照射或一化学蚀刻，使所述预定线路结构形成在所述非导电性载体上，以裸露所述催化剂于所述预定线路结构上。所述激光的波长范围为248纳米至10600纳米之间的任一波长。，其还包括设置一绝缘层于含有所述催化剂的所述非导电性载体上，以形成一复合体。所述催化剂分散于所述非导电性载体上的步骤为藉由含有所述催化剂的一薄膜设置于所述非导电性载体的表面所达成。所述薄膜包含油墨、涂料、有机高分子或其组合。其还包括于形成所述导电线路后，移除残留的所述薄膜的步骤。，其还包括将所述催化剂覆盖于一无机填充料表面的步骤，以增加所述催化剂的比表面积；所述无机填充料包含硅酸、硅酸衍生物、 碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。所述催化剂包括一金属元素、或所述金属元素的一金属氧化物、一金属氢氧化物、 一金属水合氧化物、一复合金属氧化物水合物或其组合。所述金属元素包括钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、钼、金、铟、铱、锇、铑、铼、 钌、锡或其组合。所述金属氧化物包括氧化银、氧化钯或其组合。所述金属氢氧化物包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化钼、氢氧化铟、氢氧化铼、氢氧化铑或其组合。 所述金属水合氧化物包括水合氧化钼、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼、水合氧化铑或其组合。所述复合金属氧化物水合物包括下列分子式M1xM2Om. η (H2O)其中，M1为钯或银，M2为硅、钛或锆，当M1为钯时χ为1，当M1为银时χ为2，m及η 为介于1至20的间的整数。所述非导电性载体的材料为一高分子塑料，所述高分子塑料包括一热塑性塑料或一热固性塑料。所述非导电性载体的材料为一陶瓷材料，所述陶瓷材料包括氧化铝、氮化铝、低温共烧陶瓷、碳化硅、氧化锆、氮化硅、氮化硼、氧化镁、氧化铍、碳化钛、碳化硼或其组合。，其还包含设置一导热材、一导热柱或其组合于所述非导电性载体中。所述导热材包括一非金属导热材、一金属导热材或其组合。 所述非金属导热材包含石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。所述金属导热材包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银或其组合。所述导热柱的材料包含铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅、碳化硅或其组合。本专利技术的，提供非导电性载体后，分散催化剂于非导电性载体上或非导电性载体内。接着，预定线路结构形成于非导电性载体上，并使催化剂裸露所述预定线路结构的表面，再金属化预定线路结构，以形成一导电线路。其中，可利用全面或局部的喷砂加工、激光照射或化学性蚀刻，使预定线路结构形成在非导电性载体上，以裸露该催化剂于预定线路结构上。前述所言的化学性蚀刻除可裸露催化剂，亦有些微湿润(wetting)的效果，使得欲镀面具备些微亲水性，利于后续化学镀的进行。 在上述的中，还可包含设置一绝缘层于含有催化剂的非导电性载体上的步骤，以形成一复合体。因此，在后续金属化时，设置绝缘层可避免金属镀覆于非预定线路的表面上，降低成品不良率。其中，催化剂分散于该非导电性载体上的步骤可藉由含有催化剂的一薄膜设置于非导电性载体的表面所达成。而薄膜可为油墨、胶膜、涂料或有机高分子。亦可在形成导电线路后，选择性移除残留的薄膜。其中，本专利技术的非导电性载体还可包含导热材、导热柱或其组合于其中，进而增加导热效能。导热材可包括非金属导热材、金属导热材。非金属导热材可选自石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、氮化硅及碳化硅所组成的群组。而金属导热材则可选自铅、铝、金、铜、钨、镁、钼、锌及银所组成的群组。又，导热柱的材料可选自于铅、 铝、金、铜、钨、镁、钼、锌、银、石墨、石墨烯、钻石、纳米碳管、纳米碳球、纳米泡沫、碳六十、碳纳米锥、碳纳米角、碳纳米滴管、树状碳微米结构、氧化铍、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氧化镁、 氮化硅及碳化硅所组成的群组。承上所述，依本专利技术的，其可具有一或多个下述优点(1)本专利技术的制造方法中，若使用激光裸露催化剂，其激光以低功率进行裸露程序即可，且因金属核在化学镀程序中静置反应约为10 15分钟，而本专利技术的催化剂在化学镀程序中静置反应约为3 5分钟，故本专利技术的非导电性载体中的催化剂在化学镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：江振丰，江荣泉，傅威程，
申请(专利权)人：光宏精密股份有限公司，
类型：发明
国别省市：